MOSFET无损封装技术研究  

作　　者：李彬[1] 方逸裕 刘驯[1] 

机构地区：[1]汕头华汕电子器件有限公司

出　　处：《电子世界》2014年第7期98-99,共2页Electronics World

摘　　要：本文主要介绍功率MOSFET器件无损封装的研究。通过对封装过程中可能存在的一些易损伤环节进行了分析,同时根据测试发现不良样品的信息进行了反推解析,确定关键技术攻关问题点。该研究主要通过对MOSFET封装关键制程(划片、上芯、焊线三个环节)的工艺改善及优化,特别是创新的焊线定位装置设计,形成一套新颖有效的工艺流程,提升了MOSFET产品的测试良率。

关 键 词：无损封装 划片 上芯 焊线 功率MOSFET器件 

分 类 号：TN701-4[电子电信—电路与系统]