VMOSFET漏—源导通电阻的检测  

作　　者：李学勇 

机构地区：[1]秦皇岛海湾安全技术股份公司质检部

出　　处：《电气时代》2000年第11期20-20,共1页Electric Age

摘　　要：VMOSFET,全称为垂直导电型金属氧化物半导体场效应管,是一种广泛应用于开关电源、马达控制、开关型变换器和削波器等电路中的电子元件,它具有功耗小、温度稳定性高、输入阻抗大等许多优点。VMOSFET元件的主要技术参数有漏—源导通电阻(又称通态电阻)R_(DS(ON))、漏—源击穿电压U_((BR)DSS)、漏极直流电流I_D等。本文介绍一种业余条件下漏—源导通电阻的检测方法,当在削波器中使用VMOSFET元件时,该参数对于电路设计具有重要的意义。 本方法需要元件少,操作方便,结论可靠。具体检测电路如附图所示。图中元件选择如下:R_1。

关 键 词：金属氧化物半导体场效应管 漏-源导通电阻 检测VMOSFET 

分 类 号：TM934[电气工程—电力电子与电力传动]