二极管的工艺设计理论  

作　　者：赵永红 

机构地区：[1]哈尔滨工大华生电子有限公司,黑龙江哈尔滨150080

出　　处：《科技视界》2014年第7期93-93,264,共2页Science & Technology Vision

摘　　要：二极管P-N结的击穿电压特性不仅是二极管本事的重要参数，也是设计半导体器件设计的基础。而半导体P-N结击穿主要以齐纳击穿和雪崩击穿两种形式。而产生击穿的主要原因是，在强电场的作用下大大地增加了导带电子和满带空穴的数目，引起反向电流的急剧增加，引起P-N结击穿。所以二极管设计时首先确认其反向击穿电压。

关 键 词：设计理论 二极管 雪崩击穿 工艺 P-N结 反向击穿电压 电压特性 器件设计 

分 类 号：TN31[电子电信—物理电子学]