冷等离子体对硅-锗纯化的实验研究  

An experimental study of Si-Ge purified by cold plasma

作　　者：陶甫廷[1] 王敬义[2] 冯信华[2] 陶臻宇[1] 张巍[1] 陈文辉[1] 苏庆平[3] 何笑明[2] 

机构地区：[1]广西工学院电子信息与控制工程系,广西柳州545006 [2]华中理工大学电子科学与技术系,湖北武汉430074 [3]成都理工学院应用化学系,四川成都610059

出　　处：《广西工学院学报》2000年第4期26-28,32,共4页Journal of Guangxi University of Technology

基　　金：广西自然科学基金资助项目 !:(批准号 :9912 0 0 4)"冷等离子体冶炼硅 -锗合金的研究"

摘　　要：本文通过实验证实了冷等离子体对硅 -锗粉末的纯化作用 ,并探索了放电电流、放电时间、加热温度、反应器内总压力等参数对纯化效果的影响。The experiments showed that Si-Ge powder can be purified by cold plasma The influence of the parameter of discharge current , treat time , powder temperature and total pressure in a reactor on purity effect was probed in this paper The study will be of help to industry

关 键 词：硅-锗纯化 冷等离子体 表面反应 放电电流 

分 类 号：TN304.105[电子电信—物理电子学]