冯信华

作品数：27被引量：35H指数：4
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发文主题：冷等离子体异步电动机纯化硅粉提纯更多>>
发文领域：电子电信电气工程冶金工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《微细加工技术》《半导体技术》《电工技术学报》《太阳能学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金更多>>
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圆柱形反应器鞘区离子平均动能的径向分布被引量：3
《华中科技大学学报（自然科学版）》2006年第5期50-52,共3页李战春 王敬义 陶甫廷 冯信华 
国家自然科学基金资助项目(10265002)
针对鞘层结构,建立了鞘层模型和离子速度分布函数,导出了离子平均动能的积分表达式并得出数值积分的结果.用级数的两项拟合平均动能积分表达式的对数项,积分得到解析结果和简化结果.应用积分表达式、解析式及简化式进行计算,得出了圆柱...
关键词：等离子体鞘层 分布函数 平均动能 刻蚀与纯化 
硅粉在鞘区内的纯化速率模型被引量：2
《华中科技大学学报（自然科学版）》2006年第5期53-55,67,共4页许淑慧 王敬义 冯信华 陈正强 
国家自然科学基金资助项目(10265002)
分析了粉粒在反应区的沉降过程,导出了沉降的最大速度及时间的公式,给出了离子在不同位置上的平均动能及粒子通量.还对高能中性粒子在鞘区内的行为进行了详细的分析并得出在不同位置上的平均动能和通量.它可用于计算空间不同位置处包括...
关键词：离子刻蚀 等离子体纯化 阴极鞘层 硅粉粒 
圆筒形反应器粉体纯化动力学分析
《广西工学院学报》2005年第4期10-14,共5页陶甫廷 王敬义 冯信华 
国家自然科学基金资助项目(10265002)。
对圆筒形纯化反应器的等离子体鞘层进行了动力学分析,得出了鞘区内离子速度的分布函数和不同位置上的离子平均动能。理论计算结果与实验数据吻合较好,对理论和实验工作方面都具有一定的指导意义。
关键词：粉体刻蚀 分布函数 等离子体纯化 
粉体纯化装置及工艺研究被引量：6
《稀有金属材料与工程》2005年第10期1653-1656,共4页王敬义 尹盛 陶甫廷 吴京波 冯信华 苏睿 许淑慧 陈正强 陈文辉 罗文广 
国家自然科学基金资助项目(10265002)
根据硅粉纯化的要求,提供了一种长落程和高反应速率的冷等离体反应器。工艺参数的选择着重于增大鞘层厚度、提高反应粒子浓度和控制抽气速率,因此,能有效的提高纯化反应的速率、粉料的回收率和粉粒一次沉降的时间。实验结果表明:该设备...
关键词：等离子体纯化 纯化反应 表面刻蚀 
粉粒在等离子体中纯化的理论与工艺参数被引量：3
《华中科技大学学报（自然科学版）》2005年第4期47-50,共4页陶甫廷 王敬义 许淑慧 冯信华 
国家自然科学基金资助项目(10265002).
针对反应室的情况,建立了硅粉的运动学模型和粉粒收集判据.应用该模型和判据,选择进气流速为5～2 0cm3 /min(标准状态下) ,抽气比例为0 .1.由于等离子区内只存在表面反应,钝化作用会使纯化效应消失.在鞘层内存在大量高能离子,除表面反应...
关键词：粉粒纯化 鞘层 表面刻蚀 工艺参数 
粉粒沉降过程中冷等离子体纯化效果研究
《广西工学院学报》2001年第2期8-11,共4页陶甫廷 王敬义 冯信华 陶臻宇 陈文辉 张巍 苏庆平 何笑明 
广西自然科学基金资助项目 (批准号 :9912 0 0 4)
本文通过实验证实了粉粒沉降过程中冷等离子体的纯化作用 ,并探索了阴极板温度、放电电流、放电时间等参数对纯化效果的影响 。
关键词：冷等离子体 粉粒沉降 纯化效果 冶金工业 
提高粉粒沉降过程中等离子体纯化能力的研究被引量：8
《稀有金属材料与工程》2001年第4期253-256,共4页王敬义 王宇 陶甫廷 陈文辉 张巍 冯信华 陶臻宇 尹盛 
广西自然科学基金资助项目 ( 9912 0 0 4 );国家自然科学基金资助项目 ( 19874 0 2 2 )
限于工艺条件 ,我们过去曾得出粉粒在等离子体中沉降时 ,提纯效果可忽略不计 ,本文经过详细的分析、计算和论证表明 ,沉降时间及提纯速率可经工艺改进而提高到使提纯效果达到决定性的地步。文中提供了计算结果、改进措施及粉粒可收集的...
关键词：等离子体冶金 沉降时间 提纯速率 
粉粒在等离子体中沉降的运动学分析被引量：7
《稀有金属材料与工程》2001年第1期11-14,共4页陶甫廷 王敬义 冯信华 罗文广 张巍 陈文辉 赵宁 尹盛 
广西自然科学基金!资助项目 (9912 0 0 4)
对粉粒受力情况进行了分析 ,建立了速度方程 ,并对硅 -锗合金粉料进行了计算。为了提高沉降过程中的提纯效果 ,着重对增加沉降时间进行研究 ,提出了一些措施。
关键词：运动学 冷等离子体 冶金效应 硅-锗合金材料 提纯 
冷等离子体对硅-锗纯化的实验研究被引量：1
《广西工学院学报》2000年第4期26-28,32,共4页陶甫廷 王敬义 冯信华 陶臻宇 张巍 陈文辉 苏庆平 何笑明 
广西自然科学基金资助项目 !:(批准号 :9912 0 0 4)"冷等离子体冶炼硅 -锗合金的研究"
本文通过实验证实了冷等离子体对硅 -锗粉末的纯化作用 ,并探索了放电电流、放电时间、加热温度、反应器内总压力等参数对纯化效果的影响。
关键词：硅-锗纯化 冷等离子体 表面反应 放电电流 
Si-Ge粉粒在冷等离子体中沉降的提纯效应分析
《半导体技术》2000年第3期43-46,共4页陶甫廷 王敬义 王宇 冯信华 罗文广 张巍 陈文辉 
广西自然科学基金资助项目 !编号 :9912 0 0 4
本文论述了粉粒在等离子体中的影响 ,并利用所提供的受力和加速度模型 ,进行了具体计算。最后分析了沉降时间的各种影响因素和提纯效果。
关键词：沉降时间 冷等离子体 提纯效应 硅 锗 粉粒 
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