Si-Ge粉粒在冷等离子体中沉降的提纯效应分析  

Purity Effect Analysis of SiGe Particulates Drop in Cold Plasma

作　　者：陶甫廷[1] 王敬义[2] 王宇[2] 冯信华[2] 罗文广[1] 张巍[1] 陈文辉[1] 

机构地区：[1]广西工学院计算机与电气工程系,柳州545005 [2]华中理工大学电子科学与技术系,武汉430074

出　　处：《半导体技术》2000年第3期43-46,共4页Semiconductor Technology

基　　金：广西自然科学基金资助项目 !编号 :9912 0 0 4

摘　　要：本文论述了粉粒在等离子体中的影响 ,并利用所提供的受力和加速度模型 ,进行了具体计算。最后分析了沉降时间的各种影响因素和提纯效果。The influence of particulates on plasma are discussed in this paper.The concrete calculations are made by using the models of force and acceleration.The factors of drop time and the purity effects are analyzed.

关 键 词：沉降时间 冷等离子体 提纯效应 硅 锗 粉粒 

分 类 号：TN304.051[电子电信—物理电子学]