李战春

作品数：5被引量：5H指数：1
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供职机构：华中科技大学网络与计算中心更多>>
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发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《中国材料科技与设备》《稀有金属材料与工程》《华中科技大学学报（自然科学版）》更多>>
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直立平板电极反应室中硅粉粒的表面刻蚀
《华中科技大学学报（自然科学版）》2008年第7期41-44,共4页李战春 尹盛 赵亮 王敬义 
国家自然科学基金资助项目(10475029)
在直立平板电极鞘层内进行了硅粉表面刻蚀,使硅粉的纯度由99%提高到99.97%.提出了鞘区中离子和高能氩原子的平均能量和通量方程,建立了包括高能中性粒子贡献的刻蚀速率计算式.实验和计算结果表明总的刻蚀速率可达到2.04×10^15/（cm^2·...
关键词：等离子体 粉粒表面刻蚀 沉降时间 刻蚀速率 
粉尘等离子体的研究
《中国材料科技与设备》2008年第1期37-39,共3页尹盛 赵亮 李战春 王敬义 
国家自然科学基金资助项目（10475029）
在实验和理论上研究了粉粒在等离子体鞘区的沉降、带电、收集和刻蚀。基于粉尘对等离子区电子能量分布函数的影响，讨论了粉尘对等离子体的干扰。有关结果表明等离子体对硅粉的纯化处理有可能应用于将工业硅直接制成太阳级硅。
关键词：硅粉纯化 等离子体稳定性 刻蚀速率 太阳级硅 
平板电极间鞘层离子刻蚀速率计算被引量：1
《中国材料科技与设备》2007年第6期56-59,共4页尹盛 王飞 李战春 王敬义 
国家自然科学基金资助项目（10475029）
利用所建立的鞘层区离子速度分布函数，得出了鞘层区离子平均能量、平均速度、和通量以及高能中性粒子通量和能量通量等数学模型。计算了包括离子和高能中性粒子的刻蚀速率，结果表明与实验数据吻合。各模型都以工艺参数：压力、温度、...
关键词：等离子体鞘层 分布函数 平均参数 刻蚀速率 
硅粉在直流氩等离子体中的刻蚀提纯被引量：1
《稀有金属材料与工程》2007年第A03期547-550,共4页尹盛 王敬义 李战春 张繁 沈亮 赵伯芳 
国家自然科学基金(10475029)
介绍了一种用直流氩等离子体对硅粉刻蚀提纯的方法。实验结果表明硅粉纯度可由99.6%提高到99.95%。处理后的硅粉还可进行熔化—固化—粉碎再处理,因此这是一种技术上可行的太阳级硅制备新方法。文中还应用反应室鞘层厚度、硅粉沉降平均...
关键词：粉粒表面刻蚀 刻蚀提纯 太阳级硅 直流等离子体 
圆柱形反应器鞘区离子平均动能的径向分布被引量：3
《华中科技大学学报（自然科学版）》2006年第5期50-52,共3页李战春 王敬义 陶甫廷 冯信华 
国家自然科学基金资助项目(10265002)
针对鞘层结构,建立了鞘层模型和离子速度分布函数,导出了离子平均动能的积分表达式并得出数值积分的结果.用级数的两项拟合平均动能积分表达式的对数项,积分得到解析结果和简化结果.应用积分表达式、解析式及简化式进行计算,得出了圆柱...
关键词：等离子体鞘层 分布函数 平均动能 刻蚀与纯化 
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