赵伯芳

作品数：40被引量：59H指数：3
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发文主题：薄膜晶体管非晶硅多晶硅薄膜液晶显示器非晶硅薄膜更多>>
发文领域：电子电信电气工程理学化学工程更多>>
发文期刊：《微细加工技术》《功能材料》《液晶通讯》《半导体光电》更多>>
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硅粉在带振动阴极反应室中的刻蚀
《中国材料科技与设备》2007年第6期37-40,共4页王敬义 尹盛 赵亮 赵伯芳 王飞 王家鑫 
国家自然科学基金资助项目（10475029）
文中提供了带倾斜角振动171极的等离子体反应室及他用于刻蚀硅粉的实验结果。振动171极上硅粉的运动分析表明其在反应区滞留的时间可达数分钟之久，这就使低纯硅粉的纯化处理可一次完成。刻蚀速率模型几个关键公式的计算结果表明中性高...
关键词：等离子体纯化 粉体表面刻蚀 振动阴极 
一种新型反应室的分析与实验
《功能材料》2007年第A10期4093-4095,共3页尹盛 王敬义 赵亮 赵伯芳 
国家自然科学基金资助项目（10475029）
对振动阴极上粉体的运动分析表明粉粒在阴极表面停留的时间与阴极表面倾斜角、气体反吹速度和粉粒大小等有关，其停留时间可达10min以上。用这种等离子反应室对硅粉刻蚀，可在硅粉流经反应室一次即可刻蚀200nm的表面厚度。这意味着纯化...
关键词：粉体表面刻蚀 硅粉提纯 振动阴极 
硅粉在直流氩等离子体中的刻蚀提纯被引量：1
《稀有金属材料与工程》2007年第A03期547-550,共4页尹盛 王敬义 李战春 张繁 沈亮 赵伯芳 
国家自然科学基金(10475029)
介绍了一种用直流氩等离子体对硅粉刻蚀提纯的方法。实验结果表明硅粉纯度可由99.6%提高到99.95%。处理后的硅粉还可进行熔化—固化—粉碎再处理,因此这是一种技术上可行的太阳级硅制备新方法。文中还应用反应室鞘层厚度、硅粉沉降平均...
关键词：粉粒表面刻蚀 刻蚀提纯 太阳级硅 直流等离子体 
冷等离子体中的粉体研究
《功能材料》2007年第A10期4022-4024,共3页王敬义 尹盛 赵亮 赵伯芳 
国家自然科学基金资助项目（10475029）
介绍了在冷等离子体中粉体研究的几个重要成果，分析了粉体在两种反应室结构中的运动、沉降时间及刻蚀状况。理论分析和实验结果表明带振动阴极的反应室在粉体表面刻蚀方面比传统阴极结构的反应室要优越得多。研究表明冷等离子体对硅粉...
关键词：冷等离子体 粉体表面刻蚀 硅粉纯化 
等离子振动反应室的研究
《功能材料》2007年第A10期4025-4027,共3页赵亮 尹盛 王敬义 赵伯芳 
国家自然科学基金资助项目（10475029）
通过对振动阴极反应室的研究，针对粉粒与金属阴极接触的问题，提出新的改进设计。采用射频电源感应线圈，振动石英管内部放电的方式进行刻蚀。既有振动阴极反应室的效果，又避免掺入杂质，是一种可行的新反应室设计。
关键词：硅粉提纯 振动阴极 射频感应 
用于HIT太阳能电池的本征非晶硅薄膜被引量：1
《功能材料》2007年第A04期1492-1494,共3页宋佩珂 曾祥斌 张锐 赵伯芳 
基金项目：国家“863”计划项目（2006AA052406）
带本征薄层的异质结（HIT）太阳能电池要求本征非晶硅薄膜具有生长速率低，暗电导大，光学带隙宽的特点。采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）制备符合HIT太阳能电池要求的本征非晶硅薄膜，并通过分析薄膜的透射光谱，采用Tauc法计算...
关键词：本征非晶硅薄膜 HIT PECVD 
溶胶-凝胶法制备钛酸锶钡薄膜被引量：7
《压电与声光》2003年第1期58-60,共3页张五星 徐重阳 王长安 赵伯芳 
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备钛酸锶钡(BST)薄膜,采用快速热处理(RTA)对薄膜进行烧结。利用DSC、XRD、SEM等技术分析了钛酸锶钡凝胶的热解过程,以及不同溶胶浓度下薄膜的晶粒、晶相、介温特性。实验表明:低浓度的溶胶(0.05mol/L)所制...
关键词：薄膜 溶胶-凝胶 钛酸锶钡 快速热处理 介电常数 
纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象被引量：2
《Journal of Semiconductors》2002年第7期722-724,共3页张洪涛 徐重阳 邹雪城 王长安 赵伯芳 周雪梅 曾祥兵 
国家教委博士点学科基金 ( 99J10 384) ;湖北省重大项目 ( 2 0 0 0Z0 40 0 7) ;湖北省自然科学基金 (J990 70 13) ;武汉市重点科技攻关资助项目~~
对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂 ,B掺杂效率比P高 ,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer Neldel规则 ,并有反转Meyer Neldel规则出现 .掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄膜的特点之一 .非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一...
关键词：碳化硅薄膜 纳米结构 掺杂 电导率 Meyer-Neldel规则 
微波退火法制备多晶硅薄膜的电学特性研究被引量：3
《压电与声光》2002年第3期229-231,共3页饶瑞 徐重阳 曾祥斌 王长安 赵伯芳 周雪梅 
为实现多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器的实用化与产业化 ,低温 (<6 0 0°C)、快速制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文中将微波加热技术应用于金属诱导 a- Si薄膜横向晶化工艺中 ,成功实现了低温快速制备多晶硅薄膜。通过薄膜...
关键词：微波退火 低温晶化 多晶硅薄膜 电阻率 
4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究被引量：3
《物理学报》2002年第2期304-309,共6页张洪涛 徐重阳 邹雪城 王长安 赵伯芳 周雪梅 曾祥斌 
教育部博士学科点基金 (批准号 :J9710 384) ;湖北省重大项目 (批准号 :2 0 0 0Z0 40 0 7)资助的课题武汉市重点科技攻关项目 ;湖北省自然科学基金 (批准号 :J9910 0 );国防预研基金 (批准号 :2 0 0 0J2 4 3 JW)~~
采用新设计的电极结构的等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)技术 ,在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下 ,在衬底表面形成双等离子流 ,增加了衬底表面SiC的成核概率 ,增强成核作用 ,形成纳米晶 .采用高H2 等离子体...
关键词：4H-SIC PECVD 纳米结构 多型薄膜 纳米电子学 光电性质 纳米薄膜 微结构 碳化硅 
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