纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象  

Doping of Nanocrystalline Four Hexagnol Silicon Carbide Films

作　　者：张洪涛[1] 徐重阳[1] 邹雪城[1] 王长安[1] 赵伯芳[1] 周雪梅[1] 曾祥兵 

机构地区：[1]华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第7期722-724,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家教委博士点学科基金 ( 99J10 384) ;湖北省重大项目 ( 2 0 0 0Z0 40 0 7) ;湖北省自然科学基金 (J990 70 13) ;武汉市重点科技攻关资助项目~~

摘　　要：对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂 ,B掺杂效率比P高 ,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer Neldel规则 ,并有反转Meyer Neldel规则出现 .掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄膜的特点之一 .非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一定贡献 .Compared with phosphorus in SiC films,the doping efficiency of boron is much higher.Their dark conductivities obey both Meyer Neldel rule and inverse Meyer Neldel rule.The doping efficiency of nanocrystalline SiC films is higher than that of amorphous silicon carbide films.High transport efficiency is ascribed to the tunneling amouphous states and the interface transmission between amorphous network and nanocrystalline.

关 键 词：碳化硅薄膜 纳米结构 掺杂 电导率 Meyer-Neldel规则 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]