InGaAs/InP量子线的子带结构和光学增益  

Valence Subband Structure and Optical Gain of InGaAs/InP Quantum Wire

作　　者：何国敏[1] 郑永梅[1] 王仁智[1] 刘宝林[1] 

机构地区：[1]厦门大学物理系,361005

出　　处：《固体电子学研究与进展》2001年第1期50-56,共7页Research & Progress of SSE

基　　金：福建省自然科学基金!资助课题 (No.E9910 0 0 5 )

摘　　要：采用有效质量理论 6带模型 ,计算了 In0 .53Ga0 .4 7As/ In P量子线的光学性质 ,具体计算了In0 .53Ga0 .4 7As/ In P量子线的能带结构、态密度、载流子浓度、光学跃迁矩阵元和光学增益谱 ,并把量子线的光学增益谱和量子阱的光学增益谱作了比较。In the framework of 6 band effective-mass theory, the optical gain of In0.53 Ga0.47 As/InP quantum wire are studied. The valence subband structure, density of states, carrier density, optical transition matrix elements, and optical gain are calculated. The results of optical gain for quantum wire are compared with those for quantum well.

关 键 词：有效质量理论 量子线 光学增益 子带结构 

分 类 号：O471.5[理学—半导体物理]