SOI集成光电子器件  

SOI-based Optoelectronic Devices

作　　者：魏红振[1] 余金中[1] 张小峰[1] 刘忠立[2] 史伟[3] 房昌水[3] 

机构地区：[1]中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室,北京100083 [2]中国科学院半导体所微电子中心,北京100083 [3]山东大学人工晶体研究所,山东济南250100

出　　处：《半导体光电》2001年第1期7-11,共5页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金!资助项目 (6 9896 2 6 0 ;6 9990 5 40 )

摘　　要：Silicon -on -insulator(SOI)集成光电子器件的工艺与标准CMOS工艺完全兼容 ,采用SOI技术可以实现低成本的整片集成光电子回路。文章回顾了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展。Silicon-on-insulator (SOI) is an attractive platform for fabrication of optoelectronic devices. A very thin SiO 2 film in SOI optoelectronic device makes the processing of this structure highly compatible with standard silicon CMOS technology. This technology is attractive for highly integrated optoelectronic circuits with low cost. The paper reviews recent developments in SOI based optoelectronic devices.

关 键 词：SOI 集成光学 光电集成 光波导 光电子器件 

分 类 号：TN256[电子电信—物理电子学]