光刻工艺参数的优化方法  

Optimization of Photolithography Process Parameters

作　　者：刘忠安[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所国家平板显示工程技术研究中心,江苏南京210016

出　　处：《半导体光电》2001年第1期52-53,61,共3页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：通过引入有效时差的概念 ,提出了一种可模拟光刻工艺参数间的相互关系及优化光刻参数的方法。与Dill及Mack等的方法相比 ,该方法可直接建立光刻工艺参数之间的关系 ,并可对光刻工艺进行优化设计。A method of simulating and optimizing lithographic process parameters is proposed based on the concept of effective time difference. Compared with the Dill and Mack method, this method can directly establish the relations among the process parameters and optimize the lithographic process.

关 键 词：光刻工艺 有效时差 优化设计 半导体 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]