中芯国际推出0.13μm低功耗嵌入式工艺  

机构地区：[1]中芯国际

出　　处：《中国集成电路》2014年第5期1-1,共1页China lntegrated Circuit

摘　　要：中芯国际日前宣布,其0.13μm低功耗（LL）的嵌入式闪存（eFlash）工艺已正式进入量产。该技术是中芯国际NVM非挥发性存储器平台的延续,为客户提供了一个高性能、低功耗和低成本的差异化解决方案。

关 键 词：嵌入式闪存 低功耗 国际 工艺 非挥发性存储器 NVM 差异化 低成本 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]