半导体断路开关输出脉冲宽度的参数影响规律  

Influences of key parameters on width of output pulses by semiconductor opening switch

作　　者：王古森 王洪广[1] 戚玉佳 李永东[1] 

机构地区：[1]电子物理与器件教育部重点实验室(西安交通大学),西安710049

出　　处：《强激光与粒子束》2014年第6期95-98,共4页High Power Laser and Particle Beams

基　　金：国家自然科学基金项目(51277147);高功率微波技术重点实验室基金项目

摘　　要：采用Silvaco TCAD软件,对P+-P-N-N+SOS结构输出脉冲宽度的参数影响规律进行了一维数值模拟研究,包括N+区扩散深度、有效横截面积、外电路参数等。模拟结果表明:随着N+区扩散深度、有效横截面积的增加和外电路电阻的增大,输出脉冲的宽度减小。通过参数优化,获得了脉宽约为4 ns的输出脉冲。The influences of key parameters on the width of output pulses generated by a semiconductor opening switch （SOS） with p＋-p-n-n＋ structure were numerically studied using Silvaco TCAD tools,including diffusion depth of n＋ region,effective cross-sectional area,external circuit parameters,etc.The simulation results show that the width of output pulses decrease with the increasing of the diffusion depth of n＋ region,effective cross-sectional area and the resistance of external circuits.After a series of parameter optimizations,the output pulse with 4 ns width could be obtained.

关 键 词：半导体断路开关 数值模拟 截断特性 脉冲宽度 

分 类 号：O475[理学—半导体物理]