自加热效应下AlGaInN电子阻挡层对LED性能的影响  

作　　者：王天虎[1] 徐进良[2] 王晓东[2] 

机构地区：[1]华北电力大学能源的安全与清洁利用北京市重点实验室,北京102206 [2]华北电力大学低品位能源多相流与传热北京市重点实验室,北京102206

出　　处：《科学通报》2014年第16期1564-1572,共9页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金(U1034004;51210011;50825603);中央高校基本科研业务费专项资金(12QX14)资助

摘　　要：在自加热效应下,对有、无AlGaInN电子阻挡层的两种发光二极管芯片进行了数值研究系统分析了芯片能带结构,载流子输运与分布特性,内部焦耳热和复合热特性,内量子效率衰落的物理机制,并讨论了不同俄偈复合系数在自加热效应下对效率衰落效应的影响.模拟结果表明:当在p-GaN层与活性层间插入AlGaInN电子阻挡层后,效率衰落效应得到显著改善,芯片结温明显升高.俄偈复合热不是内热源的主要贡献,可忽略不计.效率衰落效应受芯片结温影响不大,电子漏电流与俄偈复合是效率衰落的主要原因.

关 键 词：发光二极管 效率衰落 自加热 电子阻挡层 俄偈复合 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]