王天虎

作品数：7被引量：8H指数：1
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供职机构：华北电力大学更多>>
发文主题：发光二极管内量子效率LED储能技术多量子阱更多>>
发文领域：动力工程及工程热物理电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊：《发光学报》《科学通报》《太阳能》《工程热物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家杰出青年科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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新型储能技术进展与挑战Ⅲ:储能集成技术、安全技术和系统规划调度
《太阳能》2024年第9期39-48,共10页巨星 徐超 郝俊红 宋记锋 滕伟 田华军 赵海森 陈哲 王天虎 廖志荣 杜小泽 
国家自然科学基金创新研究群体项目(51821004)。
新型储能日益成为中国建设新型能源体系和新型电力系统的关键技术,已成为中国经济发展的新动能。与之相应,新型储能技术的相关研究也在快速发展。开展了该领域的系列评价性综述工作,共分为电化学储能技术、物理储能与储热技术、储能集...
关键词：储能集成技术 储能安全技术 储能系统规划调度 多元储能技术 
新型储能技术进展与挑战Ⅱ:物理储能与储热技术
《太阳能》2024年第8期48-58,共11页巨星 徐超 郝俊红 宋记锋 滕伟 田华军 赵海森 陈哲 王天虎 廖志荣 杜小泽 
国家自然科学基金创新研究群体项目(51821004)。
新型储能技术日益成为中国建设新型能源体系和新型电力系统的关键技术,已成为中国经济发展的新动能,将在促进可再生能源消纳、实现能源体系转型、提高能源利用效率、减少环境污染等方面发挥重要作用,相关技术研究也在快速发展。开展了...
关键词：储能技术 物理储能 压缩空气储能 飞轮储能 重力储能 相变储热 热化学储热 卡诺电池 
新型储能技术进展与挑战I:电化学储能技术被引量：1
《太阳能》2024年第7期98-108,共11页巨星 徐超 郝俊红 宋记锋 滕伟 田华军 赵海森 陈哲 王天虎 廖志荣 杜小泽 
国家自然科学基金创新研究群体项目(51821004)。
新型储能技术日益成为中国建设新型能源体系和新型电力系统的关键技术,已成为中国经济发展的新动能,将在促进可再生能源消纳、实现能源体系转型、提高能源利用效率、减少环境污染等方面发挥重要作用,相关技术研究也在快速发展。开展了...
关键词：储能技术 电化学储能 锂离子电池 钠离子电池 液流电池 固态电池 水系电池 
自加热效应下AlGaInN电子阻挡层对LED性能的影响被引量：2
《科学通报》2014年第16期1564-1572,共9页王天虎 徐进良 王晓东 
国家自然科学基金(U1034004;51210011;50825603);中央高校基本科研业务费专项资金(12QX14)资助
在自加热效应下,对有、无AlGaInN电子阻挡层的两种发光二极管芯片进行了数值研究系统分析了芯片能带结构,载流子输运与分布特性,内部焦耳热和复合热特性,内量子效率衰落的物理机制,并讨论了不同俄偈复合系数在自加热效应下对效率衰落效...
关键词：发光二极管 效率衰落 自加热 电子阻挡层 俄偈复合 
非等温模型下多量子势垒结构对LED性能的影响被引量：1
《科学通报》2012年第23期2231-2236,共6页王天虎 徐进良 王晓东 
国家自然科学基金-广东省联合基金重点项目(U1034004);国家杰出青年科学基金(50825603);国家重点基础研究发展计划(2011CB710703);中央高校基本科研业务费专项资金(11ZG01)资助
引入了多量子势垒结构作为发光二极管的电子阻挡层来提高其性能.在非等温多物理场耦合模型下,对芯片的内量子效率、发热特性、光谱特性、以及光电转换效率做了系统分析.结果表明:发光二极管的内量子效率及光电转换效率得到显著改善,光...
关键词：发光二极管 内量子效率 多量子阱 光谱强度 漏电流 
非等温模型下LED芯片性能与衬底的关系被引量：1
《发光学报》2012年第6期616-623,共8页王天虎 徐进良 王晓东 
国家自然科学基金-广东省联合重点基金(U1034004);国家杰出青年基金(50825603);中央高校基本科研业务费专项资金(11ZG01)资助项目
发光二极管(LED)中载流子的输运及复合决定了其非均匀的内热源强度及分布,而芯片温度又影响载流子的输运及复合,两者具有强烈的耦合关系。本文利用非等温多物理场耦合模型对以蓝宝石、Si及SiC为衬底的LED芯片的内量子效率、光谱特性及...
关键词：发光二极管 内量子效率 衬底 温度场 
非等温耦合模型下大功率LED特性的研究被引量：3
《工程热物理学报》2012年第4期647-650,共4页王天虎 王晓东 徐进良 
国家自然科学基金-广东省联合基金重点项目(No.U1034004);中央高校基本科研业务费专项资金资助(No.11ZG01)
本文建立了发光二极管(LED)芯片的非等温多物理场耦合模型。结果表明,芯片内热源集中在多量子阱(MQWs)区域,且靠近p-GaN的第一个量子阱(QW)内的内热源强度最高;焦耳热和非辐射复合热贡献大,而汤姆逊热和帕尔帖热贡献小,可忽略。等温模...
关键词：发光二极管 多量子阱 内量子效率 
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