非等温模型下多量子势垒结构对LED性能的影响  

作　　者：王天虎[1] 徐进良[2] 王晓东[2] 

机构地区：[1]华北电力大学能源的安全与清洁利用北京市重点实验室,北京102206 [2]华北电力大学低品位能源多相流与传热北京市重点实验室,北京102206

出　　处：《科学通报》2012年第23期2231-2236,共6页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金-广东省联合基金重点项目(U1034004);国家杰出青年科学基金(50825603);国家重点基础研究发展计划(2011CB710703);中央高校基本科研业务费专项资金(11ZG01)资助

摘　　要：引入了多量子势垒结构作为发光二极管的电子阻挡层来提高其性能.在非等温多物理场耦合模型下,对芯片的内量子效率、发热特性、光谱特性、以及光电转换效率做了系统分析.结果表明:发光二极管的内量子效率及光电转换效率得到显著改善,光谱强度明显升高,且多量子势垒结构的引入保证了芯片的热稳定性和发光稳定性.原因主要是由于多量子势垒结构的引入改善了电子阻挡层的能带结构,减少了漏电流,显著增强了活性区中载流子浓度.

关 键 词：发光二极管 内量子效率 多量子阱 光谱强度 漏电流 

分 类 号：O431.2[机械工程—光学工程] TN312.8[理学—光学]