用STM针尖诱导热致气化模式的纳米级信息存储  

作　　者：雷晓钧[1] 陈海峰[1] 刘忠范[1] 

机构地区：[1]北京大学化学与分子工程学院纳米科学技术中心,北京100871

出　　处：《中国科学（B辑）》2001年第1期67-71,共5页Science in China(Series B)

基　　金：国家自然科学基金重大项目!(批准号: 6989022);国家自然科学基金!(批准号: 29973001);香港研究资助局资助项目!(批准号: 59910161982

摘　　要：以扫描探针显微镜(SPM)为基础的超高密度信息存储是近年来信息存储领域的热点研究之一. 其基本原理是利用SPM针尖诱导存储介质表面形貌变化、导电性质改变、电荷分离等来记录信息. 提出利用STM隧道电流的焦耳热效应诱导材料发生气化分解的热化学烧孔模式的STM存储新原理, 并在电荷转移复合物TEA(TCNQ)2上成功地得到大面积信息孔阵列. 空洞大小均一, 最小直径约8 nm. 该存储模式有明显的优点: 由于STM隧道电流波及范围很小, 只要存储材料的导热性不是很好, 则气化分解局限于非常小的范围, 从原理上保证了存储的超高密度; 写入可靠率非常高, 达到99%以上; 存储材料具有可设计性, 易于优化材料的存储性能.

关 键 词：超高密度信息存储 TEA(TCNQ)2 存储模式 存储材料 纳米级 STM 针尖诱导 热致气化 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]