一种宽带吸收式SPDT开关的设计与实现  

Design and Implementation of a Broadband Absorption Type SPDT Switch

作　　者：廖雯[1] 唐光庆[2] 邓立科[1] 吴光春[1] 张雨[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第26研究所,重庆400060 [2]中国人民解放军驻重庆气体压缩机厂军事代表室,重庆400050

出　　处：《压电与声光》2014年第3期360-362,共3页Piezoelectrics & Acoustooptics

摘　　要：射频开关作为微波通信系统的一种关键部件,广泛应用于各种军用电子系统中。该文详细介绍了一种基于PIN二极管的单刀双掷开关的设计技术和实现方法,测试结果表明,该开关在2-8GHz频率范围内,插入损耗小于2.2dB,隔离度大于70dB。RF switch is widely used in various military electronic systems as a key device in microwave communi cation system. This paper particularly introduces a design of pin diode single pole double throw （SPDT） switch. The test results show that the switch has the features of frequency range of 2-8 GHz, insertion loss of less than 2.2 dB and isolation of more than 70 dB.

关 键 词：单刀双掷开关 PIN二极管 插入损耗 隔离度 

分 类 号：TM25[一般工业技术—材料科学与工程] TN61[电气工程—电工理论与新技术]