利用有源多模干涉器提高InGaN超辐射发光二极管的输出功率  

Enhanced Output Power of InGaN Superluminescent Diode Using Active Multi-Mode Interferometer

作　　者：臧志刚[1,2,3] 余健辉[1,2] 张军[1,2,3] 陈哲[1,2,3] 

机构地区：[1]暨南大学光电信息与传感技术广东省普通高校重点实验室,广东广州510632 [2]暨南大学光电工程系,广东广州510632 [3]广东省半导体照明产业联合创新中心,广东佛山510033

出　　处：《中国激光》2014年第6期293-296,共4页Chinese Journal of Lasers

基　　金：广东省战略新兴产业专项资金LED产业项目资助(2012A080302004);广东省战略性新兴产业核心技术攻关项目资助(2012A080301002)

摘　　要：为了提高InGaN超辐射发光二极管(SLED)的输出功率,采用有源多模干涉器(Active-MMI)作为管芯结构制作了Active-MMI SLED。由于有源区注入电流抽运面积的增加,提高了器件的增益饱和水平。实验结果表明,Active-MMI SLED的最大输出功率达到了47mW,光谱较宽而又平坦(3dB带宽20nm)。此外,器件即使在最大输出功率下,仍然保持着稳定的单模输出。To improve the output power of InGaN superluminescent diodes（SLED）,an active multimodeinterferometer（Active-MMI）configuration has been used to fabricate the Active-MMI SLED.Because of the wider actively pumped area,the output power saturation level has been improved.The experiment results show that the maximum output power of Active-MMI SLED as high as 47 mW is obtained with a wide 3 dB bandwidth of 20 nm and flat spectrum.Moreover,even under the maximum output power of Active-MMI SLED,it still keeps a stable single mode output.

关 键 词：光学器件 超辐射发光二极管 有源多模干涉器 高功率 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]