无氨法制备GaN纳米线及其光电性能研究  

Preparation of GaN nanowires by nonammonia method and their photoelectronic properties

作　　者：赵军伟[1] 张跃飞[2] 宋雪梅[1] 严辉[1] 王如志[1] 

机构地区：[1]北京工业大学材料科学与工程学院,薄膜材料与技术实验室,北京100124 [2]北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京100124

出　　处：《物理学报》2014年第11期280-285,共6页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:11274029;11074017);北京市青年拔尖人才培育计划(批准号:CIT&TCD201204037);北京工业大学京华人才支持计划(批准号:2014-JH-L07);北京市科技新星计划(批准号:2080B10);北京市属市管高等学校创新团队建设推进计划(批准号:IDHT20140506)资助的课题~~

摘　　要：采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法,在无氨与1050℃的条件下通过气液固(V-L-S)机理成功制备出六方纤锌矿结构单晶GaN纳米线其拉曼测试结果表明,所制备的纳米线存在较大的表面无序度并表现出明显的小尺寸效应样品光致发光表明其具有典型的纳米线光谱特征,另外,无氨法制备的纳米线也具有较好的场发射特性.Single-crystal hexagonal wurtzite GaN nanowires were successfully synthesized by using plasma-enhanced chemical vapor deposition （PECVD） via vapor-liquid-solid （V-L-S） mechanism, under the condition of non-ammonia at 1050 ℃. Raman spectra show that the as-synthesized nanowires have large disorder surface, in which there is a significantly small size effect. Furthermore, it is also observed that the prepared nanowires have typical photoluminescence characteristics and good field emission properties.

关 键 词：GAN纳米线 无氨法 场发射 光致发光 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]