320×256锗基中波碲镉汞红外焦平面探测器研究  

Analysis of MW 320×256 IRFPA Detector Based on MCT/Ge

作　　者：赵俊[1] 杨玉林[1] 李艳辉[1] 杨春章[1] 谭英[1] 齐航[1] 韩福忠[1] 邢一山[1] 王羽[1] 王晓璇[1] 姬荣斌[1] 孔金丞[1] 

机构地区：[1]昆明物理研究所,云南昆明650223

出　　处：《红外技术》2014年第6期439-442,456,共5页Infrared Technology

基　　金：国家重大专项

摘　　要：报道了分子束外延锗基中波碲镉汞薄膜材料以及320×256锗基中波碲镉汞红外焦平面探测器研究的初步结果。利用分子束外延技术基于3英寸锗衬底生长的中波碲镉汞薄膜材料,平均宏观缺陷密度低于200 cm-2,平均半峰宽优于90 arcsec,平均腐蚀坑密度低于2.9×106 cm-2;采用标准的二代平面工艺制备的320×256锗基中波碲镉汞红外焦平面探测器,平均峰值探测率达到3.8×1011cm·Hz1/2W-1,平均等效噪音温差优于17.3 mK,非均匀性优于6.5%,有效像元率高于99.7%。MBE grown HgCdTe-on-Ge MW 320×256 IRFPA detector is investigated in this article. The macro-defect of 3 inch MW HgCdTe-on-Ge is lower than 200 cm-2, the FWHM is lower than 90 arcsec, and the EPD is lower than 2.9×10^6 cm^-2. And the MW 320×256 IRFPA detector based on MCT/CT/Ge by the second standard plaint art is also introduced, with the D＊better than 3.8×10^11 cm·Hz1/2W^-1, NETD lower than 17.3 mK, the non-uniformity of respond lower than 6.5%, and the operability higher than 99.7%.

关 键 词：分子束外延 锗基碲镉汞 红外焦平面探测器 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]