二维层状拓扑绝缘体材料的螺旋生长机理  

出　　处：《现代物理知识》2014年第3期56-56,共1页Modern Physics

摘　　要：最近，中国科学技术大学微尺度物质科学国家实验室和化学与材料科学学院教授曾杰研究组在拓扑绝缘体二维层状纳米材料Bi2Se3，的结构设计、合成与生长机理研究方面取得新进展。研究人员对Bi2Se3晶体的成核及生长进行了动力学调控，通过引入螺旋位错首次实现了二维层状材料的螺旋生长，将材料由分立的层状转变成连续性的螺旋条带，从而获得了一种既不同于单层又有别于传统块体的新型纳米材料。

关 键 词：绝缘体材料 生长机理 层状材料 螺旋位错 二维 拓扑 中国科学技术大学 纳米材料 

分 类 号：O189[理学—数学]