螺旋位错

作品数：35被引量：64H指数：4
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PVT法AlN晶体生长模式调控研究被引量：1
《人工晶体学报》2024年第9期1542-1549,共8页覃佐燕 金雷 李文良 谭俊 何广泽 武红磊 
国家重点研发计划(2022YFB3605303);深圳市计划项目(JCYJ20210324093007020);国家自然科学基金(62474113);广东省重点领域研发计划项目(2020B010169003)。
物理气相传输(PVT)法制备AlN晶体时,亚晶的产生会降低晶体质量,甚至多晶化。本文通过调节热/动力学生长条件,研究AlN晶体中亚晶产生及变化规律,提出抑制方法调控生长模式。实验结果表明,大的温度波动导致晶体表面气相物质过饱和度波动变...
关键词：AlN晶体 PVT法 亚晶 混合生长模式 螺旋位错驱动生长 
一维六方准晶压电双材料中的螺旋位错被引量：2
《内蒙古师范大学学报（自然科学汉文版）》2019年第3期200-204,共5页赵月 于静 李联和 
国家自然科学基金资助项目(114620620;11502123);内蒙古自然科学基金资助项目(2017MS0104;2015MS0129;NJZY18022)
研究了一维六方准晶压电双材料中的螺旋位错问题,获得了电弹性场的解析解,在此基础上详细地分析了含螺旋位错的准晶压电双材料中声子场应力,相位子场应力以及电位移的分布特征.基于广义Peach Koehler公式,得到了作用在位错上的像力,讨...
关键词：准晶 双材料 位错 像力 
半无限一维六方压电准晶材料中螺旋位错与裂纹的相互作用被引量：1
《内蒙古师范大学学报（自然科学汉文版）》2018年第6期465-469,共5页崔晓微 李联和 
国家自然科学基金资助项目(11026175;11502123);内蒙古自然科学基金资助项目(2017MS0104;2015MS0129;NJZY18022)
该文采用复变函数方法研究了半无限一维六方压电准晶材料中螺旋位错与裂纹的相互作用问题,获得了应力强度因子、能量释放率和镜像力的解析表达式,并讨论了裂纹几何参数对它们的影响.
关键词：螺旋位错 裂纹 一维六方压电准晶 复变函数方法 
无水硫酸镁对氧化镁水热产物的影响被引量：2
《硅酸盐通报》2017年第11期3595-3600,共6页白丽梅 孙志雅 祝洪武 马玉新 
国家自然科学基金(51504078);河北省自然科学基金(E2015209210)
以轻烧菱镁矿获得的氧化镁为原料,在温度为160℃、搅拌速度为400 r/min的条件下反应,研究无水硫酸镁对氧化镁水热产物的影响。当MgO与MgSO_4的摩尔比为10∶1时,反应6 h的水热产物是纯度高、结晶度好的六方片状氢氧化镁;当MgO与MgSO_4的...
关键词：氧化镁 水热 溶解结晶 螺旋位错 
碱式硫酸镁晶须的生长机理分析被引量：4
《无机盐工业》2017年第7期22-25,共4页范天博 周永红 刘露萍 李莉 李雪 郭洪范 刘云义 
国家自然基金(61102041);辽宁省高校创新团队支撑计划(LT2013010);国家科技支撑计划(2013BAB09B01);辽宁省教育厅项目(L2013169);辽宁省精细化工协同创新中心资助项目;辽宁省自然基金(201602582)
为了解碱式硫酸镁晶体结构和晶体生长过程,构建碱式硫酸镁超级晶胞模型,采用Materials Studio 7.0软件中的Morphology程序对碱式硫酸镁2×2×2超级晶胞及其(201)、(202)、(203)、(111)和(114)真空slab计算模型进行平衡态计算,计算了其...
关键词：碱式硫酸镁 晶须 生长机理 螺旋位错 
氢气氛退火对硅上低温外延制备的硅锗薄膜性能的影响被引量：2
《无机材料学报》2017年第2期191-196,共6页王锦 陶科 李国峰 梁科 蔡宏琨 
采用反应型热化学气相沉积系统在硅(100)衬底上外延生长富锗硅锗薄膜。四氟化锗作为锗源,乙硅烷作为还原性气体。通过设计表面反应,在低温条件下(350℃)制备了高质量的富锗硅锗薄膜。研究了氢退火对低温硅锗外延薄膜微结构和电学性能的...
关键词：硅锗薄膜 低温外延 氢退火 螺旋位错 
螺旋位错驱动生长ZnO:Sn微观结构及其激子动力学特性
《江苏第二师范学院学报》2015年第6期6-9,共4页李康 杨伟一 戴俊 
国家自然科学基金项目"微纳米氧化锌结构中的回音壁模极化激元受激辐射研究"(项目编号:11104119);中国博士后基金项目"表面等离增强ZnO:Sn回音壁模微激光特性研究"(项目编号:2014M551485);江苏省大学生创新创业训练项目"波长可调CdSeS半导体微激光的制备与特性研究"(项目编号:201410289027Z)
利用气相传输法制备了螺旋位错诱导的Zn O:Sn塔状微结构,利用SEM,XRD及EDS对其结构进行了表征.通过测量Zn O:Sn微观结构变温荧光光谱及时间分辨光谱对激子发光的相关过程进行了研究.结果显示Zn O:Sn微观结构的荧光主要源于束缚激子复合...
关键词：螺旋位错 ZnO:Sn 激子动力学 
中科大拓扑绝缘体二维层状纳米材料Bi2Se3方面取得进展
《中国粉体工业》2014年第3期50-50,共1页
最近，中国科学技术大学微尺度物质科学国家实验室和化学与材料科学学院教授曾杰研究组在拓扑绝缘体二维层状纳米材料Bi2Se3的结构设计、合成与生长机理研究方面取得新进展。研究人员对Bi2Se3晶体的成核及生长进行了动力学调控，通过引...
关键词：纳米材料 层状材料 绝缘体 二维 拓扑 中国科学技术大学 生长机理 螺旋位错 
二维层状拓扑绝缘体材料的螺旋生长机理
《现代物理知识》2014年第3期56-56,共1页
最近，中国科学技术大学微尺度物质科学国家实验室和化学与材料科学学院教授曾杰研究组在拓扑绝缘体二维层状纳米材料Bi2Se3，的结构设计、合成与生长机理研究方面取得新进展。研究人员对Bi2Se3晶体的成核及生长进行了动力学调控，通过...
关键词：绝缘体材料 生长机理 层状材料 螺旋位错 二维 拓扑 中国科学技术大学 纳米材料 
分子动力学仿真过程中硅晶体位错模型的构建被引量：2
《中国机械工程》2013年第17期2285-2289,共5页郭晓光 张亮 金洙吉 郭东明 
国家自然科学基金资助项目(50905025)
基于位错形成机理,在单晶硅晶体结构基础上描述了硅晶体位错形成的过程。应用偶极子模型,构建了60°滑移位错芯和螺旋位错芯,进而得到硅晶体含有60°滑移位错的模型和含有螺旋位错的模型。对含有螺旋位错的硅晶体模型进行了分子动力学...
关键词：分子动力学仿真 滑移位错 螺旋位错 硅晶体 纳米级磨削 
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