G652.D光纤在长波段的传输损耗研究  

作　　者：秦钰 吴椿烽 陶伟 沈一春 钱宜刚 

机构地区：[1]中天科技精密材料有限公司,江苏南通226009

出　　处：《现代传输》2014年第3期60-62,共3页Modern Transmission

摘　　要：通过对光纤损耗机理进行了深入分析,并采用VAD工艺调整GeO_2含量和芯层直径,分析了制备过程中GeCl4流量和芯层直径与瑞利散射的关系。实验结果表明,G652.D光纤的瑞利散射随着GeCl4流量及纤芯直径的增加而增加,且掺Ge量的影响大于芯径变化的影响。

关 键 词：低损耗 吸收 瑞利散射 超长距离传输 VAD 

分 类 号：TN253[电子电信—物理电子学]