半导体光电子材料中的缺陷  

Defects in Optoelectronic Materials

作　　者：康俊勇[1] 黄启圣[1] 

机构地区：[1]厦门大学物理学系,福建厦门361005

出　　处：《厦门大学学报（自然科学版）》2001年第2期267-276,共10页Journal of Xiamen University：Natural Science

基　　金："8 6 3计划"!(715- 0 10 - 0 0 2 2 ) ;国家自然科学基金!(6 9976 0 2 3);福建省自然科学基金重点!(A0 0 2 0 0 0 1)资助项目

摘　　要：介绍近年来在 族氮化物和 - V化合物缺陷等方面的一些研究进展 .并着重展示对 族氮化物中黄色发光带、纳米管、穿透位错、龟裂和沉积物 ,以及 - V化合物中 Fe杂质和 DX中心能级精细结构等研究的结果 .The progress has been made recently in the investigations of defects in Ⅲ nitrides and Ⅲ V compounds. The works are concentrated on yellow luminescence band, nanopipes, threading dislocations, cracks and precipitates in Ⅲ nitrides, and on fine structures of Fe energy levels and DX centers in Ⅲ V compounds.

关 键 词：缺陷 Ⅲ氮化物 Ⅲ-Ⅴ化合物 半导体电子材料 黄色发光带 纳米管 穿透位错 

分 类 号：O474[理学—半导体物理] TN360.4[理学—物理]