超低h_(FE)温度系数晶体管研制  

THE FABRICATION OF THE SILICON BIPOLAR TRANSISTOR WITH SUPER LOW h_(FE) TEMPERATURE COEFFICIENT

作　　者：郑云光[1] 郭维廉[1] 申云琴[1] 

机构地区：[1]天津大学电子工程系

出　　处：《天津大学学报》1993年第2期117-122,共6页Journal of Tianjin University(Science and Technology)

摘　　要：采用poly-Si(n^+)/UTSiO_2/n^+-Si/P-Si发射结结构,研制出参数与常规晶体管相近、能长期稳定工作、在-55～100℃温度范围内,h_(FE)温度系数小于20%的硅晶体管。By adopting poly-Si(n^+)/UTSiO_2/n^+-Si/P-Si junction emitter and controlling the fabricating process, the long-term stable silicon bipolar transistors with parameters nearly the same as conventional transistors, and the h_(FE)temperature coefficient less than 20% in the range from -55℃ to 100℃ have been fabricated and measured.

关 键 词：电流增益 温度系数 晶体管 温度系统 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]