氮化铝陶瓷的制造与应用  

作　　者：毛寒松[1] 王传声[1] 崔嵩[1] 

机构地区：[1]信息产业部电子第43所

出　　处：《世界产品与技术》2001年第2期30-32,共3页

摘　　要：长期以来,绝大多数功率混合集成电路的陶瓷封装材料一直沿用Al_2O_3和BeO陶瓷,但由于性能、环保、成本等因素逐渐显露出已不能完全适合功率电子器件发展的需要,因此,一种综合性能优越的新型电子陶瓷——AlN陶瓷,无疑将成为传统Al_2O_3和BeO封装和基板的替代材料。 AIN是一种纤锌矿结构的合成Ⅲ-Ⅴ化合物,于19世纪60年代被发现。

关 键 词：氮化铝 陶瓷 功率混合集成电路 

分 类 号：TQ174[化学工程—陶瓷工业]