硅压力传感器的可靠性试验方法及失效分析  

Reliability test method and failure analysis for silicon pressure transducer

作　　者：齐虹[1] 王蕴辉[2] 易德兴[2] 王善慈[1] 

机构地区：[1]信息产业部电子第四十九研究所,黑龙江哈尔滨150001 [2]信息产业部电子第五研究所,广东广州510610

出　　处：《传感器技术》2001年第4期31-33,共3页Journal of Transducer Technology

基　　金：电子工业部军品预研项目资助! (B962 63 3 3 )

摘　　要：通过对一种特定结构的硅压力传感器进行动态综合应力寿命试验 ,探讨了硅压力传感器的可靠性实验方法 ;并对失效样品进行了解剖分析 ,研究了它在温度、电压和压力共同作用下的失效机理 ,分析了产品设计、工艺与可靠性的关系 ,提出了相应的改进措施。By the test of comprehensive stress lifespan of silicon pressure transducer with special constructure,the method of reliability test is discussed,and the failure samples are analysed.Its reason of failure under the condition of the action of temperature,voltage and pressure together is studied.In addition,the relation between the design and technique of product and reliability are analysed,the correspending improvement methods are propounded.

关 键 词：可靠性 试验方法 失效模式 压力传感器 硅 

分 类 号：TP212.12[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]