IGCT器件的计算机模拟  

The Computer Simulation of IGCT Devices

作　　者：杨大江[1] 姚振华[1] 朱长纯[1] 白继彬[2] 

机构地区：[1]西安交通大学,西安710049 [2]西安电力电子技术研究所,西安710061

出　　处：《电力电子技术》2001年第2期54-55,47,共3页Power Electronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目 !(编号 :6 9876 0 13)

摘　　要：对IGCT器件的主体GCT部分进行了工艺模拟 ,包括一维模拟与二维模拟 ,对工艺流程进行了优化设计 ,最后得到了理想的纵向杂质分布及网格划分 。In this paper the GCT process simulation of IGCT including 1 D and 2 D simulation is described and the process design is optimized.The ideal longitudial impurity distribution and mesh division are achieved,and the problems related to simulation and design are analyzed and summaried.

关 键 词：集成门极换向晶闸管 IGCT器件 计算机模拟 半导体器件 

分 类 号：TN34[电子电信—物理电子学] TP391.9[自动化与计算机技术—计算机应用技术]