多层结构ISFET传感器特性的研究  

作　　者：祁增芳[1] 余剑平[1] 

机构地区：[1]南开大学电子科学系

出　　处：《半导体技术》1990年第1期11-14,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：本文着重研究了Si_3N_4/SiO_2、Ta_2O_5/SiO_2、Ta_2O_5/Si_3N_4/SiO_2、Ta_2O_5/NAS/Si_3N_4/SiO_2等多层介质结构H^+-ISFET传感器的特性,给出了实验结果,并做了必要的分析讨论。

关 键 词：多层结构 ISFET 传感器 场效应晶体管 

分 类 号：TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]