热壁外延ZnSe单晶薄膜  

HWE GROWN ZnSe SINGLE CRYSTAL FILM~*

作　　者：杨玉琨[1] 吴连民[1] 孟庆巨[1] 王海峰[1] 杨慧[1] 孙明岩 

机构地区：[1]吉林大学分析测试实验中心,吉林长春130023

出　　处：《红外与毫米波学报》1991年第1期57-60,共4页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基　　金：国家高技术计划新概念新构思探索研究资助项目

摘　　要：介绍了一种结构更加简单的热壁外延装置,以及用该装置在GaAs(100)面上生长ZnSe单晶外延层的工艺。扫描电镜和X射线衍射分析表明用该装置生长的ZnSe单晶外延层是比较理想的。A simple HWE apparatus and the technology of using this appparatus to grown ZnSe single crystal epilayers on GaAs [100] plane are reported. The analysis of scanning electron microscope and X-ray diffraction shows that the epilayer of ZnSe single crystal is perfect.

关 键 词：热壁外延 硒化锌 薄膜 单晶 

分 类 号：TN304.25[电子电信—物理电子学]