ZnO及其缺陷的电子结构  

作　　者：徐彭寿[1] 孙玉明[1] 施朝淑[2] 徐法强[1] 潘海斌[1] 

机构地区：[1]中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230026 [2]中国科学技术大学物理系,合肥230026

出　　处：《中国科学（A辑）》2001年第4期358-365,共8页Science in China(Series A)

基　　金：国家自然科学基金!资助项目 (批准号 :5 9872 0 37;198740 5 7)

摘　　要：利用全势线性Muffin_tin轨道 (FP_LMTO)理论方法 ,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的电子结构 .计算的结果表明 ,ZnO中的Zn3d电子对其成键起重要作用 .O2p与Zn3d的轨道杂化使价带变宽 ,带隙变小 .Zn空位和O填隙分别在价带顶 0 .3和 0 .4eV处产生浅受主能级 .而Zn填隙在导带底 0 .5eV处产生浅施主能级 .但O空位则在导带底 1 .3eV处产生深施主能级 .根据以上结果 。

关 键 词：缺陷 电子结构 氧化锌 化合物半导体 微晶结构薄膜 全势LMTO法 半导体激光器件 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]