孙玉明

作品数：11被引量：132H指数：3
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供职机构：中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
发文主题：电子结构钆砷化镓GAASZNO更多>>
发文领域：理学电子电信核科学技术经济管理更多>>
发文期刊：《发光学报》《物理学报》《Journal of Semiconductors》《红外与毫米波学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
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ZnO薄膜的特殊光谱性质及其机理被引量：16
《发光学报》2004年第3期272-276,共5页施朝淑 张国斌 陈永虎 林碧霞 孙玉明 徐彭寿 傅竹西 Kirm M Zimmerer G 
国家基金委重大研究计划重点课题资助项目 ( 90 2 0 10 3 8)
以同步辐射真空紫外光 (1 95nm)为激发源 ,在低温下观察到Si基衬底上ZnO薄膜的发光有三种紫外发射 ,其峰值波长分别为 380 ,36 9.5 ,2 90nm。它们各自具有不同的衰减时间和不同的温度依赖关系 ,但其激发谱相同。强激发带不在近紫外区 ,...
关键词：ZNO薄膜 发光 真空紫外 光谱特性 
NSRL在宽带隙半导体能带结构的研究进展
《核技术》2003年第6期409-412,共4页徐彭寿 谢长坤 孙玉明 徐法强 邓锐 潘海斌 施朝淑 
国家自然科学基金(50132040);中国科学院知识创新项目资助
综述了中国科技大学国家同步辐射实验室(NSRL)在宽带隙半导体能带结构的研究进展。首次利用全势线性Muffin-tin 轨道(FP-LMTO)方法,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的能带结构,从理论上证明了Zn填隙是引起ZnO的本征n型导电性的主要原因,并...
关键词：宽带隙半导体 能带结构 角分辨光电子能谱 缺陷 表面结构 
ZnO及其缺陷电子结构对光谱特性的影响被引量：37
《红外与毫米波学报》2002年第z1期91-96,共6页徐彭寿 徐彭寿 孙玉明 施朝淑 徐法强 潘海斌 施朝淑 
国家自然科学基金(批准号59872037及19874057)资助项目
利用全势ＬＭＴＯ(ＦＰ－ＬＭＴＯ)理论计算方法,对ＺｎＯ中的某些缔合缺陷(如氧空位和锌填隙、锌填隙和锌空位及锌的氧反位缺陷〕的电子结构进行了计算根据本文和以前的计算结果,得到了ＺｎＯ中几种本征点缺陷对应的缺陷态能级位置．...
关键词：ZnO 缺陷 电子结构 光谱. 
ZnO及其缺陷的电子结构被引量：79
《中国科学（A辑）》2001年第4期358-365,共8页徐彭寿 孙玉明 施朝淑 徐法强 潘海斌 
国家自然科学基金!资助项目 (批准号 :5 9872 0 37;198740 5 7)
利用全势线性Muffin_tin轨道 (FP_LMTO)理论方法 ,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的电子结构 .计算的结果表明 ,ZnO中的Zn3d电子对其成键起重要作用 .O2p与Zn3d的轨道杂化使价带变宽 ,带隙变小 .Zn空位和O填隙分别在价带顶 0 .3和 0 .4eV...
关键词：缺陷 电子结构 氧化锌 化合物半导体 微晶结构薄膜 全势LMTO法 半导体激光器件 
稀土金属Tb在GaAs(100)表面的吸附及其界面形成的研究
《真空科学与技术》2000年第2期96-98,共3页郭红志 张发培 潘海斌 孙玉明 许保宗 徐彭寿 
利用同步辐射光电子能谱技术研究了Tb/GaAs(10 0 )界面的吸附过程和界面形成。通过对价带谱及高分辨率的Ga,As芯能级谱的研究表明 ,在较低的覆盖度下 (<0 2nm) ,Tb与GaAs衬底的反应很弱 ,形成较突变的金属 /半导体界面。当Tb的覆盖度...
关键词：铽 砷化镓 界面扩散 半导体 
Ni(110)上Gd薄膜氧化的同步辐射光电子能谱研究
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1999年第9期790-795,共6页朱俊发 徐法强 孙玉明 王险峰 陆尔东 徐彭寿 张新夷 庄叔贤 
国家自然科学基金(批准号:29473129);国家同步辐射实验室(编号:9348)
用同步辐射软X射线光电子能谱和X射线光电子能谱(XPS)研究了室温下氧与原位生长于Ni(110)上的Gd薄膜及Gd-Ni复合薄膜的相互作用。氧在3.7 nm的Gd膜上有很高的初始粘附几率。Gd4f双峰中的高结合能峰随氧暴露量的增加逐渐衰减,在吸附了50...
关键词：隔薄膜 氧化 镍表面 同步辐射 光电子能谱 
Gd/GaAs(100)的界面形成和电子结构被引量：1
《真空科学与技术》1999年第3期164-168,共5页孙玉明 徐彭寿 徐法强 陆尔东 张发培 潘海滨 许保宗 张新夷 
国家自然科学基金资助课题 !批准号No .1 95 740 42。
利用同步辐射光电子能谱技术研究了Gd在GaAs(10 0 )表面的吸附。当吸附厚度小于 0 47nm时 ,界面反应弱 ;在 0 47～ 0 9nm范围内 ,界面反应变得强烈 ;大于 0 9nm时 ,界面反应停止。在吸附过程中Gd 4 f首先是一单峰结构 ,随着Gd...
关键词：光电子能谱 钆 界面 电子结构 团簇 砷化镓 
GaP(100)表面硫钝化与稀土金属Gd界面形成的同步辐射光电子能谱研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1999年第1期19-24,共6页孙玉明 陆尔东 徐法强 徐世红 余小江 张发培 徐彭寿 张新夷 
国家自然科学基金
利用同步辐射光电子能谱研究了ＣＨ３ＣＳＮＨ２钝化的ＧａＰ（１００）表面和稀土金属Ｇｄ淀积到Ｓ－ＧａＰ（１００）表面的界面形成，结果表明ＣＨ３ＣＳＮＨ２溶液对ＧａＰ（１００）表面具有钝化作用，形成了Ｇａ和Ｐ的硫化物钝化...
关键词：磷化镓 硫钝化 稀土金属 钆 同步辐射 
钆在MgO(110)薄膜上的吸附
《Chinese Journal of Chemical Physics》1998年第4期289-293,共5页孙玉明 徐彭寿 徐法强 陆尔东 张新夷 
国家自然科学基金
为研究钆在ＭｇＯ薄膜表面吸附的特性。首先在经硫代乙酰胺（ＣＨ＿３ＣＳＮＨ２）处理的ＧａＡｓ（１００）表面外廷生长ｐ型半导体ＭｇＯ（１１０）薄膜，然后利用同步辐射光电子能谱研究钆在此表面的吸附。结果发现由于Ｇｄ／ＭｇＯ...
关键词：钆 质量作用定律 氧化镁薄膜 吸附 生长 团簇 
Co/GaAs(100)界面形成以及Co超薄膜磁性质的研究被引量：2
《物理学报》1998年第4期692-698,共7页张发培 徐彭寿 徐发强 陆尔东 孙玉明 张新夷 朱警生 梁任又 
国家自然科学基金
利用同步辐射光电发射和铁磁共振（ＦＭＲ）研究了Ｃｏ／ＧａＡｓ（１００）界面形成以及Ｃｏ超薄膜的磁性质．结果表明，在低覆盖度（约为０２ｎｍ）下，Ｃｏ吸附原子与衬底发生强烈的界面反应，在覆盖度为０９ｎｍ时，形成稳定的...
关键词：多层膜 超薄膜 铬/砷化镓 界面 磁性质 
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