许保宗

作品数：3被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
发文主题：光电子能谱砷化镓GAAS钆NSRL更多>>
发文领域：核科学技术理学电子电信更多>>
发文期刊：《核技术》更多>>
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NSRL光电子能谱站控制系统改造及软件设计被引量：2
《核技术》2002年第4期277-282,共6页邓锐 余小江 潘海斌 徐法强 许保宗 徐彭寿 
了适应同步辐射应用技术发展的需要 ,我们对合肥国家同步辐射实验室 (NSRL)光电子能谱站的数据采集和控制系统的硬件和软件进行了改造 ,取得了预期的效果。硬件系统方面 ,增加了一组多功能卡 ,更换了马达控制器 ,增加了光子能量反馈系...
关键词：NSRL 控制系统 光束线 软件设计 同步辐射 光电子能谱 技术改造 
稀土金属Tb在GaAs(100)表面的吸附及其界面形成的研究
《真空科学与技术》2000年第2期96-98,共3页郭红志 张发培 潘海斌 孙玉明 许保宗 徐彭寿 
利用同步辐射光电子能谱技术研究了Tb/GaAs(10 0 )界面的吸附过程和界面形成。通过对价带谱及高分辨率的Ga,As芯能级谱的研究表明 ,在较低的覆盖度下 (<0 2nm) ,Tb与GaAs衬底的反应很弱 ,形成较突变的金属 /半导体界面。当Tb的覆盖度...
关键词：铽 砷化镓 界面扩散 半导体 
Gd/GaAs(100)的界面形成和电子结构被引量：1
《真空科学与技术》1999年第3期164-168,共5页孙玉明 徐彭寿 徐法强 陆尔东 张发培 潘海滨 许保宗 张新夷 
国家自然科学基金资助课题 !批准号No .1 95 740 42。
利用同步辐射光电子能谱技术研究了Gd在GaAs(10 0 )表面的吸附。当吸附厚度小于 0 47nm时 ,界面反应弱 ;在 0 47～ 0 9nm范围内 ,界面反应变得强烈 ;大于 0 9nm时 ,界面反应停止。在吸附过程中Gd 4 f首先是一单峰结构 ,随着Gd...
关键词：光电子能谱 钆 界面 电子结构 团簇 砷化镓 
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