张发培

作品数：22被引量：11H指数：2
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供职机构：中国科学院更多>>
发文主题：砷化镓GAAS磁性质电子结构CO更多>>
发文领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《Chinese Journal of Chemical Physics》《中国科学技术大学学报》《低温物理学报》《功能材料》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金中国科学院“百人计划”中国科学技术大学青年科学基金更多>>
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FeCo-石墨烯纳米复合材料的新奇磁电阻特性
《低温物理学报》2018年第2期53-58,共6页汤国强 胡林 张发培 
国家自然科学基金资助课题(批准号:11574314;U1532156)~~
本文报道了FeCo-石墨烯(FeCo-G)纳米复合材料的磁电阻效应.通过改进的方法对一种类普鲁士蓝材料进行热分解,制备出具有核-壳结构的FeCo-G纳米复合材料.对不同条件下制备的FeCo-G样品进行了低温磁性质、电输运和磁输运测量.发现1000℃下...
关键词：石墨烯 纳米复合材料 磁电阻 电荷传输 铁磁性 
化学气相沉积制备毫米级单晶石墨烯的生长条件调控研究被引量：2
《功能材料》2017年第4期4110-4115,共6页周国庆 胡林 魏凌志 张发培 
国家自然科学基金资助项目(11074256;11574314;21301177)
石墨烯的形核和生长动力学过程的控制对于单晶石墨烯的制备有着至关重要的影响。采用低压化学气相沉积(CVD)方法,通过优化生长条件参数,在铜箔衬底上生长出4mm左右的大尺寸单晶石墨烯。通过一系列形貌和结构的表征,证明了样品为高质量...
关键词：单晶石墨烯 化学气相沉积 成核密度 铜箔衬底 场效应晶体管 
两步旋涂沉积条件对钙钛矿薄膜形貌和电池性能的影响研究
《功能材料》2017年第3期3121-3126,共6页李欣杭 周国庆 潘国兴 李田 张发培 
国家自然科学基金资助项目(11074256)
钙钛矿薄膜的制备条件和生长过程对其太阳电池性能有着至关重要的影响。基于两步旋涂法,采用4种不同的薄膜工艺制备了平面异质结型钙钛矿太阳电池,系统地研究了CH3NH3PbI3薄膜形貌对于太阳电池性能的影响。实验发现,PbI_2溶液的溶剂成...
关键词：钙钛矿太阳电池 两步旋涂法 形貌 溶剂 缺陷密度 
溶液相大尺寸有机薄晶体的生长及其场效应晶体管研究
《功能材料》2014年第4期62-66,共5页肖宇 李峰 张发培 
国家自然科学基金资助项目(11074256)
利用改进的两溶剂混合法生长出大尺寸6，13一双（三异丙基甲硅烷基乙炔基）并五苯（TIPS-PEN）薄晶体。晶体尺寸可达几毫米，厚度范围为90～700nm。用偏光显微镜确定了其单结晶性。通过对比实验发现，随着溶液浓度的升高，有机薄晶体尺...
关键词：两溶剂混合法 有机薄晶体 场效应晶体管 
稀土金属Tb在GaAs(100)表面的吸附及其界面形成的研究
《真空科学与技术》2000年第2期96-98,共3页郭红志 张发培 潘海斌 孙玉明 许保宗 徐彭寿 
利用同步辐射光电子能谱技术研究了Tb/GaAs(10 0 )界面的吸附过程和界面形成。通过对价带谱及高分辨率的Ga,As芯能级谱的研究表明 ,在较低的覆盖度下 (<0 2nm) ,Tb与GaAs衬底的反应很弱 ,形成较突变的金属 /半导体界面。当Tb的覆盖度...
关键词：铽 砷化镓 界面扩散 半导体 
硫钝化对Fe/GaAs(100)界面电子结构和磁性质的影响被引量：2
《Journal of Semiconductors》2000年第4期340-345,共6页徐彭寿 张发培 祝传刚 陆尔东 徐法强 潘海斌 张新夷 
国家教委博士点专项科研基金;国家自然科学基金!(批准号 :1 9574 0 4 2 )
利用同步辐射和铁磁共振研究了使用 CH3CSNH2 硫钝化的 Ga As( 1 0 0 )表面铁超薄膜的电子结构和磁性 .实验结果表明 ,硫钝化能阻止 As向铁薄膜层的扩散 ,减弱 As和 Fe的相互作用并增强了在 Ga As( 1 0 0 )表面生长的铁超薄膜的磁性 .
关键词：硫钝化 半导体界面 电子结构 磁性 
硫钝化对Fe、Co/GaAs(100)界面形成和磁性质的影响
《中国科学技术大学学报》2000年第3期361-367,共7页徐彭寿 张发培 陆尔东 徐法强 潘海斌 张新夷 
高等学校博士点专项科研基金!(98035811)资助项目
利用同步辐射和铁磁共振研究了经硫代乙酰胺硫钝化处理的GaAs(1 0 0 )表面生长的Fe、Co超薄膜与衬底的界面形成及磁性 .实验结果表明 ,硫钝化能阻止As向Fe、Co超薄膜扩散 ,减弱As和Fe、Co的相互作用并增强在GaAs(1 0 0 )
关键词：硫钝化 界面 磁性 砷化镓 铁磁金属薄膜 生长 
NSRL在半导体表面和界面的同步辐射研究进展
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》2000年第2期102-111,共10页徐彭寿 陆尔东 张发培 徐世红 张新夷 赵特秀 方容川 金晓峰 
国家自然科学基金(批准号:19174047;19234012;19234013;19404013;19574042)
综述了国家同步辐射实验室在半导体表面和界面的同步辐射光电子能谱研究。其中包括碱金属在半导体表面的吸附及其对半导体表面氧化和氮化的催化作用;稀土金属在半导体表面的吸附及其界面形成;Ⅲ-Ⅴ族半导体表面的钝化及其与金属界面研究...
关键词：半导体 表面 界面 同步辐射 光电子能谱 NSRL 
Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究
《物理学报》2000年第1期142-145,共4页张发培 郭红志 徐彭寿 祝传刚 陆尔东 张新夷 梁任又 
国家自然科学基金
利用同步辐射光电发射谱研究了Ｃｏ 与ＣＨ３ＣＳＮＨ２ 处理的Ｓ钝化ＧａＡｓ（１００） 的界面形成．发现其界面反应较弱，Ｃｏ 覆盖层达到０－８ ｎｍ 时，形成稳定的界面．ＧａＡｓ 表面上和Ｓ原子形成桥键的Ｇａ 原子与Ｃｏ 发生...
关键词：硫化钴 钝化 砷化镓 界面形成 
Gd/GaAs(100)的界面形成和电子结构被引量：1
《真空科学与技术》1999年第3期164-168,共5页孙玉明 徐彭寿 徐法强 陆尔东 张发培 潘海滨 许保宗 张新夷 
国家自然科学基金资助课题 !批准号No .1 95 740 42。
利用同步辐射光电子能谱技术研究了Gd在GaAs(10 0 )表面的吸附。当吸附厚度小于 0 47nm时 ,界面反应弱 ;在 0 47～ 0 9nm范围内 ,界面反应变得强烈 ;大于 0 9nm时 ,界面反应停止。在吸附过程中Gd 4 f首先是一单峰结构 ,随着Gd...
关键词：光电子能谱 钆 界面 电子结构 团簇 砷化镓 
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