陆尔东

作品数：33被引量：35H指数：2
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供职机构：中国科学技术大学更多>>
发文主题：GAAS光电子能谱砷化镓光电子能谱研究硫钝化更多>>
发文领域：理学电子电信核科学技术金属学及工艺更多>>
发文期刊：《物理学进展》《核技术》《物理化学学报》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金中国科学技术大学青年科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
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纳米银固体中的微孔道
《核技术》2001年第7期600-604,共5页徐长山 潘海斌 陆尔东 徐世红 余小江 徐彭寿 张新夷 秦晓英 张立德 
综合分析了高致密度（密度为常规多晶银的９５％）纳米银固体的同步辐射光电子能谱、Ｘ射线光电子能谱和真空加热实验的结果后，发现在高致密度纳米银团体内，除了空隙外，还应当有一定数量的微孔道存在。其中一些微孔道开口于纳米银固...
关键词：光电子能谱 纳米银固体 微孔道 同步辐射 X射线 空隙 
CH_3CSNH_2钝化对铁磁金属与GaAs界面扩散的影响被引量：1
《物理学报》2001年第11期2212-2216,共5页祝传刚 徐彭寿 陆尔东 徐法强 潘海斌 
国家自然科学基金 (批准号 :195 740 42 )资助的课题~~
通过实验对比 ,研究了CH3CSNH2 钝化对铁磁金属与GaAs界面处As扩散行为的影响 .发现S钝化处理改变了表面As元素的化学环境 ,减弱了As元素向铁磁金属外延层中的扩散现象 ,削弱了As与铁磁金属的反应 ,形成了较窄的反应层 ,并且改善了界面...
关键词：纯化 半导体界面 电子结构 磁性 CH3CSNH2 GAAS 扩散 铁磁金属 
Fe/GaAs(100)界面构成和电子态的同步辐射研究被引量：1
《真空科学与技术》2001年第2期125-128,共4页祝传刚 徐彭寿 李伟刚 郭红志 陆尔东 徐发强 潘海斌 
利用同步辐射光电子能谱技术详细研究了Fe/GaAs(10 0 )的界面反应和电子结构。在界面处 ,Fe与As形成稳定的化学键 ,而Ga则溶解到Fe薄膜中形成合金 ,但反应只能在界面处发生 ,形成窄的反应层。Fe沉积后改变了GaAs表面的电子结构 ,重新钉...
关键词：界面 半导体 同步辐射 光电子能谱 铁 磁性薄膜 砷化镓 化学反应 电子结构 
硫钝化对Fe/GaAs(100)界面电子结构和磁性质的影响被引量：2
《Journal of Semiconductors》2000年第4期340-345,共6页徐彭寿 张发培 祝传刚 陆尔东 徐法强 潘海斌 张新夷 
国家教委博士点专项科研基金;国家自然科学基金!(批准号 :1 9574 0 4 2 )
利用同步辐射和铁磁共振研究了使用 CH3CSNH2 硫钝化的 Ga As( 1 0 0 )表面铁超薄膜的电子结构和磁性 .实验结果表明 ,硫钝化能阻止 As向铁薄膜层的扩散 ,减弱 As和 Fe的相互作用并增强了在 Ga As( 1 0 0 )表面生长的铁超薄膜的磁性 .
关键词：硫钝化 半导体界面 电子结构 磁性 
硫钝化对Fe、Co/GaAs(100)界面形成和磁性质的影响
《中国科学技术大学学报》2000年第3期361-367,共7页徐彭寿 张发培 陆尔东 徐法强 潘海斌 张新夷 
高等学校博士点专项科研基金!(98035811)资助项目
利用同步辐射和铁磁共振研究了经硫代乙酰胺硫钝化处理的GaAs(1 0 0 )表面生长的Fe、Co超薄膜与衬底的界面形成及磁性 .实验结果表明 ,硫钝化能阻止As向Fe、Co超薄膜扩散 ,减弱As和Fe、Co的相互作用并增强在GaAs(1 0 0 )
关键词：硫钝化 界面 磁性 砷化镓 铁磁金属薄膜 生长 
NSRL在半导体表面和界面的同步辐射研究进展
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》2000年第2期102-111,共10页徐彭寿 陆尔东 张发培 徐世红 张新夷 赵特秀 方容川 金晓峰 
国家自然科学基金(批准号:19174047;19234012;19234013;19404013;19574042)
综述了国家同步辐射实验室在半导体表面和界面的同步辐射光电子能谱研究。其中包括碱金属在半导体表面的吸附及其对半导体表面氧化和氮化的催化作用;稀土金属在半导体表面的吸附及其界面形成;Ⅲ-Ⅴ族半导体表面的钝化及其与金属界面研究...
关键词：半导体 表面 界面 同步辐射 光电子能谱 NSRL 
Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究
《物理学报》2000年第1期142-145,共4页张发培 郭红志 徐彭寿 祝传刚 陆尔东 张新夷 梁任又 
国家自然科学基金
利用同步辐射光电发射谱研究了Ｃｏ 与ＣＨ３ＣＳＮＨ２ 处理的Ｓ钝化ＧａＡｓ（１００） 的界面形成．发现其界面反应较弱，Ｃｏ 覆盖层达到０－８ ｎｍ 时，形成稳定的界面．ＧａＡｓ 表面上和Ｓ原子形成桥键的Ｇａ 原子与Ｃｏ 发生...
关键词：硫化钴 钝化 砷化镓 界面形成 
Ni(110)上Gd薄膜氧化的同步辐射光电子能谱研究
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1999年第9期790-795,共6页朱俊发 徐法强 孙玉明 王险峰 陆尔东 徐彭寿 张新夷 庄叔贤 
国家自然科学基金(批准号:29473129);国家同步辐射实验室(编号:9348)
用同步辐射软X射线光电子能谱和X射线光电子能谱(XPS)研究了室温下氧与原位生长于Ni(110)上的Gd薄膜及Gd-Ni复合薄膜的相互作用。氧在3.7 nm的Gd膜上有很高的初始粘附几率。Gd4f双峰中的高结合能峰随氧暴露量的增加逐渐衰减,在吸附了50...
关键词：隔薄膜 氧化 镍表面 同步辐射 光电子能谱 
同步辐射光电子能谱对ITO表面的研究被引量：14
《Journal of Semiconductors》1999年第7期543-547,共5页来冰 丁训民 袁泽亮 周翔 廖良生 张胜坤 袁帅 侯晓远 陆尔东 徐彭寿 张新夷 
国家自然科学基金
首次利用同步辐射光电子能谱（ＳＲＰＥＳ）研究了铟锡氧化物（ＩＴＯ）薄膜表面的化学状态．发现ＩＴＯ表面的铟和锡分别具有多种价态．对比真空退火前后ＩＴＯ样品的电阻率与透射率，结合对ＩＴＯ导电机理的分析讨论。
关键词：铟锡氧化物 ITO SRPES 实验 
Gd/GaAs(100)的界面形成和电子结构被引量：1
《真空科学与技术》1999年第3期164-168,共5页孙玉明 徐彭寿 徐法强 陆尔东 张发培 潘海滨 许保宗 张新夷 
国家自然科学基金资助课题 !批准号No .1 95 740 42。
利用同步辐射光电子能谱技术研究了Gd在GaAs(10 0 )表面的吸附。当吸附厚度小于 0 47nm时 ,界面反应弱 ;在 0 47～ 0 9nm范围内 ,界面反应变得强烈 ;大于 0 9nm时 ,界面反应停止。在吸附过程中Gd 4 f首先是一单峰结构 ,随着Gd...
关键词：光电子能谱 钆 界面 电子结构 团簇 砷化镓 
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