Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究  

INTERFACE FORMATION BETWEEN Co WITH S\|PASSIVATED GaAs(100) 

作　　者：张发培[1] 郭红志[1] 徐彭寿[1] 祝传刚 陆尔东[1] 张新夷[1] 梁任又 

机构地区：[1]中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029

出　　处：《物理学报》2000年第1期142-145,共4页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：利用同步辐射光电发射谱研究了Ｃｏ 与ＣＨ３ＣＳＮＨ２ 处理的Ｓ钝化ＧａＡｓ（１００） 的界面形成．发现其界面反应较弱，Ｃｏ 覆盖层达到０－８ ｎｍ 时，形成稳定的界面．ＧａＡｓ 表面上和Ｓ原子形成桥键的Ｇａ 原子与Ｃｏ 发生交换反应并扩散到覆盖层中，形成Ｃｏ—Ｓ键．Ｃｏ 覆盖层表面无偏析Ａｓ 的出现，与Ｃｏ／ＧａＡｓ（１００） 界面不同，这表明ＧａＡｓ 表面的Ｓ钝化可有效地阻止ＡｓInterface formation between Co and the sulfur\|passivated GaAs(100) (by CH\-3CSNH\-2 treatment) has been studied by synchrotron radiation photoemission spectroscopy.Interface reaction is weak,a stable interface forms at the coverage of 0.8?nm.Ga atoms bonded with S at the surface exchange with Co atoms and cause the formation of Co\|S bonding,no segregated As appears at the surface of Co overlayer,in contrast with the case of Co/GaAs(100).This indicates that S\|passivation on GaAs(100) is an effective way of inhibiting the interdiffusiion of As and Ga through the coverage.

关 键 词：硫化钴 钝化 砷化镓 界面形成 

分 类 号：O472.1[理学—半导体物理]