Ni(110)上Gd薄膜氧化的同步辐射光电子能谱研究  

作　　者：朱俊发[1] 徐法强[2] 孙玉明[2] 王险峰 陆尔东[2] 徐彭寿[2] 张新夷[2] 庄叔贤 

机构地区：[1]中国科学技术大学化学物理系 [2]中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230026

出　　处：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1999年第9期790-795,共6页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:29473129);国家同步辐射实验室(编号:9348)

摘　　要：用同步辐射软X射线光电子能谱和X射线光电子能谱(XPS)研究了室温下氧与原位生长于Ni(110)上的Gd薄膜及Gd-Ni复合薄膜的相互作用。氧在3.7 nm的Gd膜上有很高的初始粘附几率。Gd4f双峰中的高结合能峰随氧暴露量的增加逐渐衰减,在吸附了50L的氧并在高温(800K)退火后几乎彻底消失。0～50L的氧暴露量范围内O 1s XPS峰的结合能为529.6eV,来自晶格氧。Gd/Ni(110)轻微氧化再经高温退火而形成的复合薄膜表面上,氧的吸附引起Gd在表面的偏析和进一步氧化,并可检测到化学吸附的O^-和晶格氧两种氧物种。对氧化机理和表面氧物种的本质与衍变进行了讨论。

关 键 词：隔薄膜 氧化 镍表面 同步辐射 光电子能谱 

分 类 号：O643.36[理学—物理化学] O614.813[理学—化学]