NSRL在半导体表面和界面的同步辐射研究进展  

作　　者：徐彭寿[1] 陆尔东[1] 张发培[1] 徐世红[1] 张新夷[1] 赵特秀[2] 方容川[2] 金晓峰[3] 

机构地区：[1]中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029 [2]中国科学技术大学物理系,合肥230026 [3]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

出　　处：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》2000年第2期102-111,共10页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:19174047;19234012;19234013;19404013;19574042)

摘　　要：综述了国家同步辐射实验室在半导体表面和界面的同步辐射光电子能谱研究。其中包括碱金属在半导体表面的吸附及其对半导体表面氧化和氮化的催化作用;稀土金属在半导体表面的吸附及其界面形成;Ⅲ-Ⅴ族半导体表面的钝化及其与金属界面研究;半导体表面的磁性超薄膜研究;与Ⅱ—Ⅵ族半导体有关的异质结能带排列。

关 键 词：半导体 表面 界面 同步辐射 光电子能谱 NSRL 

分 类 号：O472.1[理学—半导体物理]