谢长坤

作品数：9被引量：37H指数：4
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供职机构：中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
发文主题：电子结构第一性原理计算半导体材料GAN氮化镓更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《物理学报》《物理》《核技术》《科学通报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
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3C-SiC的能带结构和光学函数的第一性原理计算被引量：4
《中国科学技术大学学报》2006年第9期1001-1004,共4页徐彭寿 谢长坤 潘海斌 徐法强 
国家自然科学基金(50572100);中国科学院知识创新工程资助
利用从头计算的全势缀加平面波理论方法研究了3C-SiC的能带结构和基本的光学函数,得到了Si、C分波态密度和能带结构.介电函数的虚部由能带结构的计算直接得到.经带隙校正后,由Kramers-Kronic(K-K)色散关系计算了介电函数的实部.由得到...
关键词：3C-SIC 全势缀加平面波 能带结构 光学函数 
GaN(100)表面结构的第一性原理计算被引量：14
《物理学报》2005年第1期317-322,共6页李拥华 徐彭寿 潘海滨 徐法强 谢长坤 
中国科学院知识创新工程资助的课题~~
用全势缀加平面波加局域轨道 (APW +lo)的方法计算了六方GaN及其非极性 ( 10 10 )表面的原子及电子结构 .计算出的六方GaN晶体结构参数 :晶格常数和体积弹性模量与实验值符合得很好 .用平板超原胞模型来计算GaN( 10 10 )表面的原子与电...
关键词：原子 表面 键长 弛豫 平面波 电子结构 晶格常数 体内 体外 转移 
GaN表面极性的光电子衍射研究被引量：3
《物理学报》2004年第4期1171-1176,共6页徐彭寿 邓锐 潘海斌 徐法强 谢长坤 李拥华 刘凤琴 易布拉欣.奎热西 
国科学院知识创新工程资助的课题~~
利用x射线光电子衍射的极角扫描模式 ,采集了GaN(0 0 0 1)表面由 (10 10 )和 (112 0 )晶面产生的光电子衍射实验曲线 ,并运用光电子衍射的前向聚焦效应确定了GaN(0 0 0 1)表面是Ga在最外层的极性面 .利用与能量有关的光电子衍射即角分...
关键词：氮化镓 表面极性 光电子衍射 半导体材料 宽带隙材料 光电子衍射 
GaAs(001)面能量扫描的光电子衍射研究被引量：1
《中国科学技术大学学报》2004年第1期38-43,共6页邓锐 谢长坤 李拥华 潘海斌 徐法强 徐彭寿 
中国科学院"九五"特别支持项目
利用在国家同步辐射实验室建立的光电子衍射技术 ,采集了GaAs(0 0 1 )面能量扫描的光电子衍射谱。通过对光电子衍射谱的傅立叶变换分析给出了各个发射体近邻原子的正确位置 .经过多重散射模型计算并对实验曲线的拟合验证了Biegelsen提出...
关键词：表面结构 GAAS 光电子衍射 
NSRL在宽带隙半导体能带结构的研究进展
《核技术》2003年第6期409-412,共4页徐彭寿 谢长坤 孙玉明 徐法强 邓锐 潘海斌 施朝淑 
国家自然科学基金(50132040);中国科学院知识创新项目资助
综述了中国科技大学国家同步辐射实验室(NSRL)在宽带隙半导体能带结构的研究进展。首次利用全势线性Muffin-tin 轨道(FP-LMTO)方法,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的能带结构,从理论上证明了Zn填隙是引起ZnO的本征n型导电性的主要原因,并...
关键词：宽带隙半导体 能带结构 角分辨光电子能谱 缺陷 表面结构 
GaN(0001)表面的电子结构研究被引量：13
《物理学报》2002年第11期2606-2611,共6页谢长坤 徐法强 邓锐 徐彭寿 刘凤琴 K.Yibulaxin 
中国科学技术大学高水平大学建设科研基地资助的课题
报道了纤锌矿WZ(wurtzite)GaN(0 0 0 1)表面的电子结构研究 .采用全势线性缀加平面波方法计算得到了GaN分波态密度 ,与以前实验结果一致 .讨论了Ga3d对GaN电子结构的影响 .利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了价带电子结构 .通过改...
关键词：GAN 角分辨光电发射 全势线性缀加平面波 电子结构 能带结构 氮化镓 半导体材料 晶体生长 
α-SiC“非汉字符号”表面结构的第一性原理计算被引量：4
《物理学报》2002年第12期2804-2811,共8页谢长坤 徐彭寿 徐法强 潘海斌 
国家自然科学基金 (批准号 :5 0 13 2 0 40 );中国科学技术大学"高水平大学建设"研究基地资助的课题~~
用全势缀加平面波方法 (FPLAPW)计算了α SiC及其非极性 (10 10 )表面的原子与电子结构 .计算出的α SiC晶体结构参量 :晶格常量和体积弹性模量与实验值符合得很好 .用平板超原胞模型来计算α SiC(10 10 )表面的原子与电子结构 ,结果表...
关键词：表面结构 第一性原理计算 碳化硅 FPLAPW方法 电子结构 全势缀加平面波方法 半导体材料 
β-SiC(110)表面原子与电子结构的理论计算被引量：6
《科学通报》2002年第5期336-341,共6页谢长坤 徐彭寿 徐法强 潘海斌 
感谢与韩聚广研究员进行的有益讨论 本工作为国家自然科学基金(批准号:50132040);中国科学技术大学"同步辐射应用及新概念"研究基地资助项目.
用全势缀加平面波方法（FPLAPW）计算了β-SiC及其非极性（110）表面的原子与电子结构.计算出的β-SiC晶体结构参数:晶格常数和体积弹性模量与实验值符合得很好.用平板超原胞模型来计算β-SiC（110）表面的原子与电子结构,结果表明,表...
关键词：碳化硅 FPLAPW方法 表面原子结构 表面电子结构 半导体 理论计算 
GaAs表面硫钝化研究新进展被引量：2
《物理》2000年第11期673-678,共6页谢长坤 徐法强 徐彭寿 
GaAs及其他Ⅲ -Ⅴ族半导体表面钝化一直是人们感兴趣的研究课题 ,在半导体器件制造工艺的发展中起着重要的作用 。
关键词：表面复合 光致发光 砷化镓 电镜 半导体 
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