β-SiC(110)表面原子与电子结构的理论计算  

作　　者：谢长坤[1] 徐彭寿[1] 徐法强[2] 潘海斌[2] 

机构地区：[1]中国科学技术大学结构分析开放实验室 [2]中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029

出　　处：《科学通报》2002年第5期336-341,共6页Chinese Science Bulletin

基　　金：感谢与韩聚广研究员进行的有益讨论 本工作为国家自然科学基金(批准号:50132040);中国科学技术大学"同步辐射应用及新概念"研究基地资助项目.

摘　　要：用全势缀加平面波方法（FPLAPW）计算了β-SiC及其非极性（110）表面的原子与电子结构.计算出的β-SiC晶体结构参数:晶格常数和体积弹性模量与实验值符合得很好.用平板超原胞模型来计算β-SiC（110）表面的原子与电子结构,结果表明,表面顶层原子发生键长收缩和旋转的弛豫特性,表面阳离子Si向体内移动而阴离子 C向表面外移动.这与Ⅲ～Ⅴ族半导体（110）表面弛豫特性相似.表面重构的机制是Si原子趋向于以平面构型的sp2杂化方式与其三配位C原子成键,C原子趋向于以锥型的p3方式与其三配位Si原子成键.另外表面弛豫实现表面由金属性至半导体性的转变.

关 键 词：碳化硅 FPLAPW方法 表面原子结构 表面电子结构 半导体 理论计算 

分 类 号：O472.1[理学—半导体物理]