功率场效应管驱动电路分析  

The Analyses of Drive Circuits in Power MOSFETs

作　　者：陈富根[1] 何国民[2] 黄跃华[2] 杨言清[1] 

机构地区：[1]华东交通大学科研生产处 [2]华东交通大学电气工程系

出　　处：《华东交通大学学报》1991年第1期23-29,共7页Journal of East China Jiaotong University

摘　　要：本文对功率场效应管驱动电路的动态过程进行了计算机辅助分析,提出了使电路可靠工作的几种方法。实验结果与分析结果基本吻合。因此,本文提出的分析方法可供工程技术人员设计功率场效应管驱动电路时参考。In this paper, the computer aided analysis of switching process in drive circuits of power MOSFETs is given. Some ways to improve working stability of drive circuits are also given. Experement results show that the analyses results are accurate enough to be used in engineering.

关 键 词：功率 场效应晶体管 驱动电路 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]