半导体材料的光致发光  

作　　者：吕翔[1] 褚君浩[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所

出　　处：《红外》2001年第3期13-16,共4页Infrared

摘　　要：光致发光是一种能够对半导体材料进行无损测量的光谱测定方法[1].由于它对样品的要求比较低、实验的装置也比较简单,因而在近些年来得到了广泛的运用,尤其是对于一些新材料的光学性质的研究[2,3,4,5].红外焦平面阵列(IRFPA)探测器技术在现代国防和空间等领域有着十分重要的地位,研究高质量的红外材料是其中的关键性问题.其中包括HgCdTe的薄膜[6,7]以及HgTe-CdTe的超晶格材料[8,9],它们被广泛应用于3到12μm红外探测器和其它光电器件的制造中.因此对HgCdTe质量的检测显得非常重要,红外探测器的响应率直接和它的吸收系数相关,吸收谱又和材料的光致发光谱有着联系.光致发光是一种无损测量,可以应用于晶体的检测.可以通过对吸收系数的研究来对光致发光谱进行研究,并且和实验结果进行对照,对光致发光谱中的峰进行讨论.

关 键 词：光致发光 吸收谱 三能带模型 掺杂 半导体材料 无损测量 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学] TN215