吕翔

作品数:6被引量:18H指数:2
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供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文主题:红外光谱仪斩波器参考端泵浦光源分子束外延生长更多>>
发文领域:电子电信交通运输工程机械工程理学更多>>
发文期刊:《红外与激光工程》《红外》《红外与毫米波学报》《物理学报》更多>>
所获基金:国家自然科学基金更多>>
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InAs/GaSb超晶格中波焦平面材料的分子束外延技术被引量:7
《红外与毫米波学报》2011年第5期406-408,438,共4页徐庆庆 陈建新 周易 李天兴 吕翔 何力 
报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长技术研究.通过改变GaSb衬底上分子束外延InAs/GaSb超晶格材料的衬底温度,以及界面的优化等,改善超晶格材料的表面形貌和晶格失配,获得了晶格失配Δa/a=1.5×10-4,原子级平整表面的InAs/G...
关键词:INAS/GASB 超晶格 分子束外延 
窄禁带碲镉汞调制光谱的近期进展和前景(英文)被引量:8
《红外与毫米波学报》2008年第1期1-6,20,共7页邵军 马丽丽 吕翔 吴俊 李志峰 郭少令 何力 陆卫 褚君浩 
Supported by the national Natural Science Foundation of China(60676063);the Science and Technology Commssion of Shanghai Mu-nicipality(05ZR14133,06JC14072);the Knowledge Innovation Program of Chinese Academy of Sciences.
简要介绍了红外光调制反射谱和调制光致发光谱的最新进展,并重点比较了相对于传统实验方法在信噪比,谱分辨率和实验耗时等方面所取得的显著进展.给出了在MBE生长HgCdTe薄膜样品研究中的应用实例,显示了该技术在光谱研究窄禁带半导体带...
关键词:步进扫描傅立叶变换红外光谱仪 红外光调制反射 调制光致发光 信噪比 谱分辨率 
InGaAs/GaAs量子点红外探测器被引量:1
《红外与激光工程》2008年第1期34-36,56,共4页马文全 杨晓杰 种明 苏艳梅 杨涛 陈良惠 邵军 吕翔 
航天三院科技创新基金资助项目(HT3Y83582005)
与量子阱红外探测器相比,量子点红外探测器具有不制作表面光栅就能在垂直入射红外光照射下工作以及工作温度更高等优势。然而,目前阻碍量子点红外探测器性能提高的技术瓶颈主要来自组装量子点较差的大小均匀性、较低的量子点密度以及垂...
关键词:量子点红外探测器 垂直入射 分子束外延 光电流 
多功能半导体光电性质测试电路的设计被引量:1
《红外》2007年第8期11-15,共5页黄炜 越方禹 马丽丽 吕翔 李宁 邵军 褚君浩 
设计了一个多功能半导体光电性质测试电路。配合红外光谱仪,该电路能完成相应波段的光电流谱测试。设计还加入了交流信号发生器功能,可用于半导体弱电场调制反射光谱测试,具有很高的应用价值。该电路在为半导体样品提供低噪声、高稳定...
关键词:半导体 光电流谱 A/D转换 单片机 DDS 
变温吸收谱研究液相外延碲镉汞浅能级被引量:1
《物理学报》2007年第5期2878-2881,共4页越方禹 邵军 魏彦峰 吕翔 黄炜 杨建荣 褚君浩 
国家自然科学基金(批准号:60676063;60221502);上海市科学技术委员会(批准号:05ZR14133;06JC14072)资助的课题~~
利用变温吸收谱(11—300K)对非故意掺杂液相外延Hg1-xCdxTe进行研究,对吸收边在低温区间(<70K)出现的约7—20meV反常移动现象进行了分析.结果表明该现象是由材料中Hg空位作为受主能级存在而形成的,红移幅度与样品组分/载流子浓度有关....
关键词:碲镉汞 液相外延 汞空位 反常吸收 
半导体材料的光致发光被引量:1
《红外》2001年第3期13-16,共4页吕翔 褚君浩 
光致发光是一种能够对半导体材料进行无损测量的光谱测定方法[1].由于它对样品的要求比较低、实验的装置也比较简单,因而在近些年来得到了广泛的运用,尤其是对于一些新材料的光学性质的研究[2,3,4,5].红外焦平面阵列(IRFPA)探测器技术...
关键词:光致发光 吸收谱 三能带模型 掺杂 半导体材料 无损测量 
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