越方禹

作品数：8被引量：44H指数：4
导出分析报告
供职机构：华东师范大学更多>>
发文主题：参考端微光红外光谱仪硫铜锌更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程兵器科学与技术更多>>
发文期刊：《红外》《航空兵器》《红外与毫米波学报》《激光与红外》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国航空科学基金中科院重大科研装备研制项目上海市基础研究重大（重点）项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-8
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
用于宽波段红外探测的InAs/GaSbⅡ型超晶格结构光学性质研究被引量：1
《航空兵器》2021年第6期95-99,共5页李红凯 李墨 董尚威 洪进 陈晔 敬承斌 越方禹 褚君浩 
国家自然科学基金项目(61874043,61790583,61874045,61775060);国家重大研发计划项目(2016YFB0501604);航空科学基金项目(201824X8001)。
InAs/GaSbⅡ型超晶格因其特殊的能带结构及成熟的材料生长技术,被视为第三代红外探测器的优质材料。本文介绍了长、短波红外探测用的InAs/GaSbⅡ型超晶格探测器结构的光学性质,对比超晶格和衬底的拉曼光谱,指认了结构中存在的主要拉曼...
关键词：INAS/GASB Ⅱ型超晶格 多波段探测 拉曼光谱 光学性质 红外探测器 
铜锌锡硫带边电子结构及缺陷态的光学表征被引量：5
《红外与毫米波学报》2020年第1期92-98,共7页马骕驭 马传贺 卢小双 李国帅 孙琳 陈晔 越方禹 褚君浩 
国家自然科学基金(61790583,61874043,61874045,61574057;61574059);航空科学基金(201824X8001);国家重点研发计划(2016YFB0501604)~~
利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道,分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级,揭示了Sn_(Zn)相关的缺陷态是影响铜锌锡硫带边电子结构的关键因素,其中高浓度的中性缺陷簇[2Cu_(Zn)+Sn_...
关键词：禁带宽度 半导体缺陷 光谱表征 铜锌锡硫 
高功率半导体激光器红外缺陷发射与热效应被引量：6
《激光与光电子学进展》2019年第11期1-9,共9页越方禹 毛峰 王涵 张小玲 陈晔 敬承斌 褚君浩 
国家自然科学基金(61790583,61874043,61775060,61874045)
高功率半导体激光器具有效率高、寿命长、体积小,及成本低等优点,在国防军事、材料加工和抽运源等领域具有广泛应用。阐述了镓砷/GaAs基近红外波段激光器和镓氮/GaN基蓝绿光波段激光器的缺陷类型、发射特征,以及相关研究进展,通过聚焦...
关键词：激光器 高功率半导体激光器 红外缺陷发射 热效应 
新型亚波长陷光结构HgCdTe红外探测器研究进展被引量：25
《红外与毫米波学报》2016年第1期25-36,51,共13页胡伟达 梁健 越方禹 陈效双 陆卫 
国家自然科学基金优秀青年基金项目(11322441)~~
综述了近几年来亚波长陷光结构Hg Cd Te红外探测器研究进展.系统介绍了一种结合有限元方法与时域有限差分方法对红外探测器的"光""电"特性进行联合模拟和设计方法,以及基于这种新的数值模拟方法对亚波长人工微结构Hg Cd Te红外探测器的...
关键词：HGCDTE红外探测器 亚波长人工微结构 陷光效应 长波红外探测器 金属表面等离子激元 
GaAs/InGaAs量子点探测器件微光读出研究被引量：1
《激光与红外》2012年第1期59-62,共4页尤虎 郭方敏 朱晟伟 越方禹 范梁 茅惠兵 
国家科技部重大科研项目(No.2006CB932802;No.2011CB932903);上海市配套项目(No.078014194)资助
GaAs/InGaAs量子点光电探测器,在633 nm激光辐射3.5 nW条件下,器件偏压-1.4 V时,测得响应电流8.9×10-9A,电流响应率达到2.54 A/W,量子注入效率超过90%。基于GaAs/InGaAs量子点光电探测器的高量子注入效率、高灵敏度等特点,采用具有稳...
关键词：量子点 量子效率 响应率 微光探测 CTIA读出 
多功能半导体光电性质测试电路的设计被引量：1
《红外》2007年第8期11-15,共5页黄炜 越方禹 马丽丽 吕翔 李宁 邵军 褚君浩 
设计了一个多功能半导体光电性质测试电路。配合红外光谱仪,该电路能完成相应波段的光电流谱测试。设计还加入了交流信号发生器功能,可用于半导体弱电场调制反射光谱测试,具有很高的应用价值。该电路在为半导体样品提供低噪声、高稳定...
关键词：半导体 光电流谱 A/D转换 单片机 DDS 
变温吸收谱研究液相外延碲镉汞浅能级被引量：1
《物理学报》2007年第5期2878-2881,共4页越方禹 邵军 魏彦峰 吕翔 黄炜 杨建荣 褚君浩 
国家自然科学基金(批准号:60676063;60221502);上海市科学技术委员会(批准号:05ZR14133;06JC14072)资助的课题~~
利用变温吸收谱(11—300K)对非故意掺杂液相外延Hg1-xCdxTe进行研究,对吸收边在低温区间(<70K)出现的约7—20meV反常移动现象进行了分析.结果表明该现象是由材料中Hg空位作为受主能级存在而形成的,红移幅度与样品组分/载流子浓度有关....
关键词：碲镉汞 液相外延 汞空位 反常吸收 
Ar^+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面损伤及消除被引量：4
《Journal of Semiconductors》2007年第1期122-126,共5页吕衍秋 越方禹 洪学鹍 陈江峰 韩冰 吴小利 龚海梅 
国家自然科学基金资助项目(批准号:50632060)~~
研究了Ar+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面的损伤,并用湿法腐蚀后处理消除损伤.Ar+刻蚀后InGaAs表面均方根粗糙度较小,而n-InP和p-InP表面明显变粗糙.刻蚀后InGaAsPL强度增加,而n-InP和p-InPPL强度都减小.用XPS分析了未刻蚀、Ar+刻蚀和...
关键词：Ar^+刻蚀 INGAAS INP 湿法腐蚀 表面损伤 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部