HGCDTE红外探测器

作品数：29被引量：150H指数：7
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温度变化对星载HgCdTe红外探测器性能影响分析被引量：1
《航天电子对抗》2021年第2期38-42,共5页雷武虎 唐进迎 王迪 骆盛 
星载的HgCdTe红外探测器由于能探测导弹主动段尾焰而广泛应用于导弹预警和拦截,而星上红外探测器的工作性能直接影响着对导弹的识别和威胁判断。为了研究温度对星上红外探测器的性能影响,以HgCdTe探测器的温度噪声等效温差为性能参考、S...
关键词：空间热环境 红外探测器 等效噪声温差 导弹预警 
HgCdTe红外探测器芯片微管电极的制备与应用被引量：4
《激光与红外》2019年第11期1350-1352,共3页张轶 刘世光 张敏 杨斌 
介绍了一种用于超大面阵碲镉汞探测器的新型微管电极。使用常规金属沉积、光刻和刻蚀设备,即可在碲镉汞芯片上制备微管电极。在倒装互连时,碲镉汞芯片通过微管电极插入读出电路上的铟球,实现与读出电路互连。使用微管电极互连,互连所需...
关键词：微管电极 倒装互连 碲镉汞 
一种浸没透镜结构HgCdTe红外探测器组件环境适应性研究被引量：2
《光学与光电技术》2016年第5期89-92,共4页贺香荣 陆华杰 张亚妮 管建安 
国家重点基础研究发展计划“973计划”(2012CB619200);国家自然基金(61475179)资助项目
探测器采用浸没透镜结构的单元光伏芯片,工作波段为2.5~3.2μm。采用储能焊TO9管壳封装,将二级热电致冷器、热敏电阻、透镜结构的HgCdTe红外探测器封装为一红外探测器组件,组件可在室温至-50℃下工作,经过老炼、力学和热学环境适应性试...
关键词：HGCDTE红外探测器 浸没透镜 热电致冷器 红外探测器组件 密封性 
新型亚波长陷光结构HgCdTe红外探测器研究进展被引量：25
《红外与毫米波学报》2016年第1期25-36,51,共13页胡伟达 梁健 越方禹 陈效双 陆卫 
国家自然科学基金优秀青年基金项目(11322441)~~
综述了近几年来亚波长陷光结构Hg Cd Te红外探测器研究进展.系统介绍了一种结合有限元方法与时域有限差分方法对红外探测器的"光""电"特性进行联合模拟和设计方法,以及基于这种新的数值模拟方法对亚波长人工微结构Hg Cd Te红外探测器的...
关键词：HGCDTE红外探测器 亚波长人工微结构 陷光效应 长波红外探测器 金属表面等离子激元 
长波HgCdTe红外探测器的暗电流机理研究进展被引量：8
《红外技术》2015年第5期353-360,379,共9页陈效双 许娇 胡伟达 王俊 陈勇国 黄燕 周孝好 陆卫 
国家自然科学基金重大项目;编号:61290301
介绍了HgCdTe红外探测器的发展历程,详细分析了长波HgCdTe红外探测器的暗电流机制、采用同时拟合方法对暗电流参数进行提取与分析,介绍了为降低暗电流的一些新的研究进展。
关键词：长波HgCdTe红外探测器 暗电流 非线性同时拟合方法 混合表面钝化 
HgCdTe红外探测器信号抑漂与一致性研究被引量：1
《激光与红外》2014年第3期261-264,共4页周振林 
对三级半导体制冷HgCdTe红外探测器信号输出不一致性和信号漂移产生原因进行深入分析与研究,并说明使其输出一致与信号稳定的必要性,着重论证了调整偏置电流对探测器输出的影响,并采用校零技术,信号合成与还原技术等对抑制漂移的基本方法。
关键词：半导体恒温制冷 红外探测器 漂移 校零 
HgCdTe薄膜材料组分分布对器件响应光谱的影响被引量：6
《红外与毫米波学报》2013年第3期225-230,共6页崔宝双 魏彦锋 孙权志 杨建荣 
国家自然科学基金(60876012)~~
研究了HgCdTe液相外延薄膜的纵向组分分布对探测器响应光谱的影响.提出了一种计算HgCdTe红外探测器响应光谱的模型,模型中综合考虑了薄膜的实际组分分布以及光在器件各层结构中的相干、非相干传输.计算结果表明,在探测器的光吸收区,HgC...
关键词：HGCDTE红外探测器 纵向组分分布 响应光谱 光传输模型 
p-on-n HgCdTe红外探测器机理分析与性能计算被引量：6
《红外技术》2013年第5期249-258,共10页曾戈虹 
根据HgCdTe材料特性和p-on-n HgCdTe红外探测器结构,建立了p-on-n HgCdTe红外探测器三维数理模型。通过对三维理论模型的求解,得到探测器内部载流子的输运特性,实现了对不同波段、不同工作温度p-on-n HgCdTe红外探测器探测率的理论计算...
关键词：p-on-n HgCdTe 器件模型 理论计算 红外探测器 高性能红外系统 
InAs/GaSbⅡ类超晶格与HgCdTe红外探测器的比较研究被引量：2
《红外技术》2012年第12期683-689,共7页余连杰 邓功荣 苏玉辉 
云南省应用基础研究面上项目;编号:2008CD176
HgCdTe、QWIP和InAs/GaSbⅡ类超晶格被公认是第三代红外焦平面探测器的首选。主要对比分析了HgCdTe和InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器,InAs/GaSbⅡ类超晶格具有响应波段宽且精确可控、工作温度高、载流子寿命长、暗电流低和均匀性好等优...
关键词：INAS GASB HgCdTeⅡ类超晶格 红外探测器 
HgCdTe红外探测器CdTe钝化蒸发生长改进被引量：7
《激光与红外》2012年第11期1263-1267,共5页徐竟杰 陈兴国 周松敏 魏彦锋 林春 杨建荣 
在液相外延生长(LPE)的碲镉汞(HgCdTe)外延薄膜(111)方向上蒸发生长碲化镉(CdTe)钝化层。在70～250℃范围内的各个不同的温度环境下进行碲化镉钝化膜的蒸发生长。根据需要,对各样本进行150～300℃各个温度下的后期退火处理。运用扫描电...
关键词：碲化镉 碲镉汞 钝化 扫描电镜 透射电镜 二次离子质谱 X射线衍射 
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