大动态范围电阻列阵器件的最新进展(下)  

作　　者：B.Cole 贡树行 

机构地区：[1]美国洛克威尔技术中心

出　　处：《红外》2001年第3期32-40,共9页Infrared

摘　　要：4最近的测量结果 在以前的一些文章里[1-6],他们已经讨论了许多列阵的属性.某些最近的测量结果,使我们对列阵性能的了解得到了进一步的改善.大多数的测量是在室温工作的#3列阵上进行的.

关 键 词：电阻阵列 大动态范围 像元发射率 辐射率 Vdd下降 Vss下降 场效应晶体管 时间常数 闪烁/下降测量 

分 类 号：TM540[电气工程—电器]