硅低速刻蚀和钨膜刻蚀研究  

A STUDY ON SILICON ETCHING AT LOW RATE AND TUNGSTEN FILM ETCHING

作　　者：杜树成[1] 刘超[1] 姬成周[1] 李国辉[1] 

机构地区：[1]北京师范大学低能核物理研究所,北京100875

出　　处：《北京师范大学学报（自然科学版）》2001年第2期191-194,共4页Journal of Beijing Normal University(Natural Science)

基　　金：国家自然科学基金!资助项目 (6 96 76 0 30 ) ;北京市自然科学基金!资助项目 (4 96 2 0 0 4;4992 0 0 4)

摘　　要：针对半导体器件研制过程中等离子体刻蚀工艺的具体需要 ,研究了硅的低速率刻蚀和钨薄膜的刻蚀 .得到了加磁场条件下刻蚀速率与刻蚀气体流量、射频功率的关系曲线 .得到了不加磁场时不同刻蚀气体流量下钨的刻蚀速率 ,以及在刻蚀气体中掺杂不同比例氧气时硅的刻蚀速率 .对上述结果加以简单的讨论并给出了符合工艺要求的刻蚀条件 .The etching of silicon at low rate and the etching of tungsten films are studied. The etching rate of such two materials is obtained at different runoffs of gas and different radio power for etching. The effects of magnetic field and adding oxygen on the etching velocity are also studied. Satisfied etching conditions are obtained.

关 键 词：硅 钨膜 离子反应刻蚀 半导体器件 光电术探测器 

分 类 号：TN205[电子电信—物理电子学] TN305.7