半导体矩形量子阱中电光效应的探讨  

Study on Electro-Optic Effects in Rectangular Quantum Well

作　　者：刘翠红[1] 郭康贤[1] 陈传誉[1] 马本堃[2] 

机构地区：[1]广州师范学院物理系,广东广州510405 [2]北京师范大学物理系,北京100875

出　　处：《广州师院学报（自然科学版）》2000年第3期24-29,共6页

基　　金：广东省自然科学基金!(980378)

摘　　要：通过密度矩阵及坐标变换等方法，导出质量可变的无限深矩阵阶中电光效应的解析表达式，通过对ＧａＡｓ／ＡｌＡＳ量子阱的数值计算，指出电光效应的大小取决于因有效质量变化引起的阱不对称程度。Analytical expression of electro-optic effects in a variable-mass infinite potential quantum well is obtained by coordinate transform and density matrix approaches. Numerical results are illustrated for a typical GaAs/AlAs rectangular quantum well. It is found that the origin of the electrooptic effects is due to the asymmetry of quantum well caused by variable mass.

关 键 词：电光效应 半导体量子阱结构 可变质量 密度矩阵 坐标变换 有效质量 非线性光学性质 

分 类 号：O471.1[理学—半导体物理]